真空溅射镀膜

真空溅射镀膜栏目主要讲述了真空溅射镀膜相关溅射镀膜原理、溅射沉积成膜技术、磁控溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子溅射镀膜等方面的知识。

离轴溅射法生长的BiFeO3 外延薄膜及其交换偏置效应
多铁性BiFeO3 薄膜吸引了人们广泛的关注,并且有望应用于磁电器件、自旋电子器件和微波器件等领域
反应溅射外延半金属Fe3O4薄膜的各向异性和界面耦合
半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858 K)和理论上100%的自旋极化率,是自旋电子学器件的理想候选材料。
磁控靶材面积与承载功率范围及实际承载功率
磁控靶材面积与承载功率范围及实际承载功率
磁控靶溅射沉积率的影响因素
溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外。
影响磁控靶溅射电压的几个因素
影响磁控靶溅射电压的主要因素有:靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。
影响磁控靶点火电压的几个因素
影响磁控靶点火电压的因素主要包括:气体压力、电源以及靶材。
磁控阴极溅射靶的分类
磁控阴极溅射靶,它既是一个真空镀膜机械零部件,同时也是一个电力电子元器件。
磁控溅射及磁控溅射产生的条件-磁控溅射基本原理与工况
本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的磁控溅射以及磁控溅射产生的条件等相关的内容。
阴极溅射与溅射阀值能量-磁控溅射基本原理与工况
本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的阴极溅射与溅射阀值能量的内容。
辉光放电与等离子体-磁控溅射基本原理与工况
本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的辉光放电与等离子体的内容。
溅射镀膜真空环境-磁控溅射基本原理与工况
本文讲述了磁控溅射基本原理与工况中的溅射镀膜真空环境。
磁控溅射靶电源研发、设制与使用小结——前言
磁控溅射靶电源研发、设制与使用小结系列文章——前言部分
共溅射法制备的Pt-C薄膜的微观结构和电化学性能的研究
用共溅射的方法制备了Pt-C薄膜,薄膜由Pt纳米粒子和非晶C组成。电子显微镜和X射线衍射的测试结果显示Pt纳米粒子镶嵌在非晶C之中。
脉冲激光沉积溅射工艺对CIGS薄膜成分和结构的影响
采用脉冲激光沉积溅射法在玻璃衬底上制备Cu-In-Ga预制膜,后经硒化、退火处理,得到CIGS薄膜。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电子显微镜和能量散射谱观察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光电子能谱分析了薄膜表面的化学价态。
直流磁控溅射法低温制备GZO:Ti薄膜及其光电性能研究
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了钛镓共掺杂氧化锌(GZO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射压强和功率对GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能的影响。