硬质薄膜技术的最新发展
介绍了硬质薄膜技术的最新发展状况,阐述了各技术的特点和代表厂商。
DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研
采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD) 法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。
- H2O+O2气氛下电子束蒸镀制备MgO介质保护膜特性研究2012-05-09 20:31:28
- 采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体结构,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜对等离子屏放电特性的影响。
- 直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响2011-09-28 22:41:48
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）技术，通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。
- CHN薄膜的制备方法与工艺研究2011-09-27 22:09:28
- 采用空心阴极等离子化学气相沉积方法,以NH3/H2的混合气体及CH4气体为原料反应气体,成功地制备了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉积速率与直流电压及反应气体流量的关系。
- 基于光纤通讯的真空镀膜控制系统2011-09-19 19:34:01
- 针对镀膜的特殊要求，通过分析传统控制方式的不足，提出了新型的控制方式，即光纤通讯。
- 基于遗传算法的真空磁控溅射射频阻抗匹配仿真研究2011-09-09 22:27:13
- 针对真空磁控溅射射频电源阻抗匹配问题, 设计射频L型阻抗匹配网络结构。
- 磁控过程的计算机模拟2011-09-07 22:27:02
- 本文基于蒙特卡罗方法，并结合SRIM软件，编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态。
- 直流热阴极PCVD法间歇生长模式间歇周期的研究2011-09-07 20:03:54
- 采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式，在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下，利用人工干预二次形核工艺，研究了间歇周期变化对制备纳米晶金刚石膜的影响。
- CHN薄膜化学结构和成分分析2011-08-29 20:49:45
- 采用外置式电容耦合低压等离子化学气相沉积法制备非晶CHN 薄，并分析其化学结构和成分分析。
- 真空镀膜机双轴磁性液体密封的设计与实验研究2011-08-25 23:22:11
- 为了解决真空镀膜机双轴密封问题, 对真空镀膜机双轴采用磁性液体密封, 设计了磁性液体密封整体结构、密封极齿和永久磁铁。
- 含钛MoS2合金减摩镀层摩擦学性能研究2011-04-30 10:13:33
- 应用闭合磁场非平衡磁控溅射离子镀技术, 制备了不同Ti含量的MoS2合金减摩镀层, 研究了添加元素Ti含量对镀层厚度、硬度、摩擦系数等的影响规律。
- 含Ag2O型高密度聚乙烯基真空蒸镀复合膜的抗菌性研究2011-04-30 10:06:56
- 本文通过真空蒸镀法制备得到含银型高密度聚乙烯(HDPE)基抗菌复合膜(Ag2O/HDPE) , 利用原子力显微镜、扫描电子显微镜及原子吸收光谱法测试手段对膜进行了表征, 并考察了复合膜的抗菌动力学和抗菌长效性, 以及对细菌的黏附性。
- Zr/Nb薄膜材料的制备及界面结构研究2011-04-30 09:36:08
- 通过直流磁控溅射法在单晶Si(100) 基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。
- U及Si基表面TiAl薄膜的制备及组织结构研究2011-04-30 09:31:02
- 利用Gibbs自由能判据计算了室温和1000 K温度下TiAl体系非晶形成成分区间。
- 溅射气压对碳化钒薄膜微结构与力学性能的影响2011-04-29 21:26:25
- 采用碳化钒靶的磁控溅射方法在不同的Ar气压下制备了一系列碳化钒薄膜, 利用能量分析光谱仪, X射线衍射,扫描电子显微镜, 原子力显微镜和微力学探针研究了气压对薄膜成分、相组成、微结构以及力学性能的影响。
- 分子动力学模拟不同入射能量的CH与碳氢薄膜的相互作用2011-04-29 21:02:08
- 使用分子动力学方法模拟低能CH与碳氢薄膜的相互作用, 以探讨在核聚变过程中CH的再沉积行为及对面向等离子体材料性质变化的影响。
