真空镀膜_真空镀膜原理_溅射镀膜_气相沉积

真空镀膜

真空技术网>真空应用>真空镀膜>

推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

电弧离子镀沉积TiCx薄膜的结构和性能研究

本文采用脉冲偏压电弧离子镀技术改变分离靶弧流获得不同成分的TiCx薄膜，研究不同碳含量对薄膜结构和性能的影响。
7A04铝合金表面DLC薄膜制备及性能研究

本研究利用RF-PIII&D设备，在7A04铝合金表面制备DLC薄膜。为提高膜基结合力，采用非平衡磁控溅射技术，在铝合金表面和DLC薄膜之间沉积一层Si膜，作为过渡层。
纳米金刚石的制备及研究进展

通过简要描述纳米金刚石薄膜的生长机制，介绍了两种制备纳米金刚石薄膜的方法及其优势，讨论了两种方法在纳米金刚石的质量、尺寸及沉积速率等方面取得的最新研究进展，并对今后的主要研究方向进行了展望。
波长渐变膜的设计与制备

本文介绍了波长渐变膜的设计方法和光学性能，使用自制的掩模板和掩模板切换装置，在磁控溅射机内镀制波长渐变膜的工艺过程并分析结果。
用铝丝掺杂溅射ZnO薄膜的光电性能研究

本文采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜，并且通过将铝丝置于ZnO靶材表面来共同溅射制备了AZO薄膜，分析了它们的结构和光电特性。
半球形基底镀膜膜厚均匀性理论分析

对特殊的非平面基片-半球表面上镀制薄膜的膜厚均匀性进行了理论分析研究。该研究工作对半球面这种复杂的非平面基片上镀膜膜厚均匀性研究工作具有理论指导意义，同时对改善此种表面上的膜厚分布研究提供了相关的理论
超高阻隔膜制备工艺现状及市场发展

回顾了普通包装膜到超高阻隔封装膜的研究发展历程，系统阐述用于柔性电子元件封装的超高阻隔无机氧化物薄膜的制备工艺现状，并对其市场的发展前景进行了深入的调查研究。
应用于工具镀膜的磁场辅助离子镀弧源及其放电特性分析

本文比较分析了不同磁场辅助受控弧源的靶结构、磁场位形及产生机制，讨论了不同位形的磁场对弧斑运动、放电的影响以及由此导致的镀膜工艺的优缺点等，对磁场控制的电弧离子镀弧源的发展进行了展望。
脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究

本文在实验中固定直流偏压为100V，叠加不同的脉冲偏压和不同占空比下成功制备了TiAlN薄膜，并对薄膜的微观结构、原子组成和力学性能进行讨论和总结。
基体结构对Al/BN涂层性能的影响

本文针对在役的Al/BN涂层显微组织、结合强度、涂层硬度等内容进行研究，为涂层质量可靠性评价提供借鉴，以提高等离子喷涂Al/BN涂层的质量稳定性及质量控制水平。
基底预处理对非晶碳/Mo2C复合薄膜场发射性能的影响

本文采用机械研磨方法对Al2O3陶瓷衬底进行预处理，采用直流磁控溅射技术在基底上溅射Mo过渡层，随后在微波等离子体增强化学沉积(MPECVD)系统中沉积非晶碳薄膜，研究了不同粒度金刚砂研磨基底对所制备样品的场发射性
非晶硅锗薄膜电池研究进展及发展方向

本文主要通过介绍不同研究机构的主要研究方向阐述非晶硅锗电池的研究历史、研究问题以及发展方向。
背电极ZnO：Al薄膜与n-a-Si：H膜接触特性的研究

本文采用PECVD法在ZnO：Al薄膜上沉积了n-a-Si：H薄膜，接着分别用电子束蒸发和磁控溅射法在n-a-Si：H薄膜上制备ZnO：Al薄膜，并对ZnO：Al薄膜与n-a-Si：H薄膜的电接触特性进行了研究，从而找到ZnO：Al薄膜的最优化条
TiO2薄膜元件阻变机理的模拟研究

本文从模拟计算的角度对TiO2薄膜阻变机理进行研究，这在阻变机理推导研究中鲜见报道。通过将计算模拟结果分析得出的推断与本课题组先前实验研究得出的结论进行比较，可获得更全面的阻变机制解释。
多弧离子镀与磁控溅射联用镀制TiN/SiO2复合装饰薄膜的研究

本文结合多弧离子镀和磁控溅射两种镀膜方法的优点，制备了TiN/SiO2复合薄膜。通过扫描电镜可以观察到，制备的复合膜比单纯的氮化钛薄膜更加致密和光滑，基本消除了大颗粒的影响。
La掺杂对SnO2薄膜光学特性影响的第一性原理及实验研究

目前为止，对于第一性原理的研究大多数都集中在F、Sb、In、Fe上，对稀土掺杂SnO2报道较少，本文结合理论与实验对La 掺杂SnO2薄膜的光学性能进行分析，并为以后研究提供相应的参考依据。
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性

采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。
等离子体增强原子层沉积Al2O3钝化多晶黑硅的研究

本文使用金属辅助化学法制备多晶黑硅，再经低浓度碱溶液处理优化黑硅结构，最后用PEALD沉积了不同厚度的Al2O3钝化层。采用扫描电镜、分光光度计和少子寿命测试仪对黑硅的表面形貌、减反射特性和少子寿命变化进行了分
ZnO纳米棒/CNTs复合阴极的制备及其场发射性能的研究

本文采用低成本和简单的方式来实现ZnO纳米棒和CNTs的复合，通过水热法生成ZnO纳米棒阵列，利用简单的喷涂方法来获得ZnO纳米棒/CNTs复合阴极，该复合阴极有极优的场发射性能。
调制周期对Ti-TiN-Zr-ZrN多层膜性能的影响

采用真空阴极电弧沉积技术，在TC11 钛合金表面沉积同等厚度的三种不同调制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 软硬交替多层膜。