气相沉积栏目简介

气相沉积技术按照成膜机理可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。气相沉积栏目主要讲述了化学气相沉积技术和工艺,物理气相沉积原理等气相沉积技术。

MPCVD法制备石墨烯的研究进展

文章首先通过分析比较得出了制备石墨烯的几种主要方法的优缺点,重点强调了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备石墨烯的优势。

晶界“背脊”形貌对热障涂层热冲击寿命的影响
本文的主要研究工作是采用化学气相沉积和电子束物理气相沉积技术在镍基单晶高温合金上分别制备铂改性铝化物涂层和陶瓷热障涂层,开展粘结层表面晶界“背脊”形貌对热障涂层体系热冲击寿命的影响行为和可能的TBCs 剥落失效机理研究。
PVD镀膜能够镀出的膜层的颜色种类
PVD镀膜目前能够做出的膜层的颜色有深金黄色,浅金黄色,咖啡色,古铜色,灰色,黑色,灰黑色,七彩色等。
化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展
本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;概述了应用所述前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的导电性能。
靶基距和锭料蒸发速率对沉积薄板厚度均匀性的影响
本工作根据真空蒸镀中小面源具有方向性的发射特性,即余弦角度分布规律,同时结合EBPVD自身发射特点,建立了一个多锭料蒸发理论模型,讨论了靶基距和不同坩埚蒸发速率对厚度均匀性和有效蒸发效率的影响,并对实际沉积薄板厚度分布进行了预测。
不同频率溅射沉积的新型耐磨二硼化钒涂层的结构及性能
本文的主要目的就是选择几种不同频率的电源制备VB2涂层,测试及比较不同频率下制备出的新型VB2涂层的结构和性能。
CVD直接生长技术高效碳纳米管镍氢电池的研究
采用热化学气相沉积技术(CVD),在泡沫镍表面直接生长多壁碳纳米管(MWNT),以此MWNT-泡沫镍基底为电池集流体,并使用该基底、通过干粉末滚压工艺制备镍氢电池电极,对电池进行了一系列的充放电性能测试。
MPCVD法合成单晶金刚石的研究及应用进展
本文简介近年来MPCVD技术合成单晶金刚石的研究进展,评述了在该研究领域处于领先地位的英美日等国有关公司及研究机构所取得的成果,并对单晶金刚石的应用前景作出了展望。
基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法研究
本文提出了基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法,综合了单因素试验和数字模拟的正交试验设计两种优化方法。
大批量微细刀具HFCVD涂层制备的温度场仿真与试验分析
本文以HFCVD沉积大批量微细刀具金刚石涂层系统为研究对象,利用有限容积法的仿真方法,对影响基体温度场的多个工艺参数进行仿真与分析,并提出优化设计的方案。
固态碳源温度对法CVD生长石墨烯薄膜影响的研究
本文主要探索了固态源温度变化对石墨烯生长的影响,并采用固态源动态变温的方法生长了石墨烯,有效提高了所得石墨烯薄膜的覆盖率。
MPCVD法制备低粒径纳米金刚石薄膜的研究
采用MPCVD法,以Ar/H2/CH4为气源,探索较高浓度氩气和气压条件下低粒径纳米金刚石的制备工艺,并对生长的纳米金刚石膜的晶粒尺寸,薄膜质量,残余应力,表面形貌进行分析。
微波等离子体化学气相沉积超纳米晶金刚石膜研究
超纳米晶金刚石(UNCD)在短毫米波特别是太赫兹真空器件输能窗中具有潜在的应用价值。本文介绍了UNCD膜的制备工艺和性能表征。
MPCVD工艺参数对石墨烯性能影响的研究
实验采用MPCVD装置,以氢气和甲烷为主要气源,氮气和氩气为辅助气源在镍片上生长石墨烯薄膜,并对不同条件下制备样品进行拉曼光谱仪表征。
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在碳纤维上制备碳纳米管
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在碳纤维上制备了碳纳米管,并在此基础上系统地研究了微波功率、反应时间、催化剂前驱体的吸附时间以及吸附浓度对碳纳米管生长的影响。