气相沉积栏目简介

气相沉积技术按照成膜机理可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。气相沉积栏目主要讲述了化学气相沉积技术和工艺,物理气相沉积原理等气相沉积技术。

MPCVD法制备石墨烯的研究进展

文章首先通过分析比较得出了制备石墨烯的几种主要方法的优缺点,重点强调了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备石墨烯的优势。

聚碳酸酯表面碳基薄膜的制备及其光学性能研究
本文采用RFPECVD技术在PC材料表面沉积DLC薄膜,研究DLC薄膜和PC基片系统的摩擦学和光学性能。
正交电磁场离子源及其在PVD 法制备硬质涂层中的应用
本文介绍几种不同类型的正交电磁场离子源,并结合其在不同体系硬质涂层沉积过程中的应用,综述离子源的结构、工作原理;分析其产生的离子束对硬质涂层成分、结构、性能的影响。
CO2对MPCVD制备金刚石膜的影响研究
应用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以CH4/H2/N2为主要气源,通过添加CO2辅助气体,并与未添加CO2辅助气体进行对比,进行了金刚石膜沉积。
MPCVD法制备石墨烯的研究进展
文章首先通过分析比较得出了制备石墨烯的几种主要方法的优缺点,重点强调了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备石墨烯的优势。
超纳米金刚石薄膜的性能和制备及应用
文章对超纳米金刚石与其他CVD 金刚石的性质进行了对比,对超纳米金刚石的生长机理进行了简要概述,着重分析了各种化学气相沉积技术制备超纳米金刚石的基本原理、特点及取得的研究成果,最后详细讨论了超纳米金刚石的应用和今后研究方向。
大尺寸ZnS真空气相沉积炉的研制
介绍了CVD ZnS 生产工艺、真空气相沉积炉技术性能、设备结构组成及特点。该真空气相沉积炉是制备大尺寸ZnS 的关键设备。
电子束物理气相沉积热障涂层抗冲蚀性能研究
通过AIP和EB-PVD技术制备的热障涂层,在其抗冲蚀性能评价方面仍然没有详细的报道。为此,本研究利用AIP法制备HY3涂层,利用EB-PVD制备YSZ陶瓷面层,对其组分、相结构和抗冲蚀性能进行系统研究,并对评价设备作介绍。
直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜
采用直流热阴极PCVD技术,进行了甲烷和氢气条件下加入氮气制备透明金刚石膜的研究,主要是通过设置刻蚀步骤,改变温度和时间参数,在间歇生长模式下使氢和氮原子共同作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石的择优取向生长,来制备透明金刚石膜。
钴基高温合金铝化物涂层的高温氧化行为研究
本文在DZ40M 合金基体上采用化学气相沉积技术制备铝化物涂层,研究该涂层的高温氧化行为。
衬底对CVD生长石墨烯的影响研究
基于石墨烯的生长机理,从衬底材料的角度,综述了近几年衬底对CVD生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新趋势。
放电功率对VHF- PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真模拟
本文采用Comsol中的等离子体模块和Chemkinpro中的AUROR模块相结合的方法,研究了甚文频PEVCD沉积μc-Si:H薄膜过程中放电功率对等离子体特性、气相反应和表面生长的影响,并与实验进行了比较。
EB-PVD在热障涂层中的研究及应用
本文介绍了EB-PVD技术在制备热障涂层时优势、不足与改进措施。
HMX颗粒的气相沉积包覆研究
本文通过真空气相沉积技术,在HMX炸药颗粒表面成功包覆了石蜡和paralene膜,并且在膜较薄情况下实现了包覆度100%。测试了HMX气相包覆颗粒的机械感度和静电火花感度。
铀上激光辅助化学气相沉积铝薄膜研究
为了防止金属铀的腐蚀,本文采用激光辅助化学气相沉积在铀上制备了铝薄膜。
35CrMo钢表面化学气相沉积多层硬质涂层的结构与性能研究
采用化学气相沉积法在35CrMo钢基表面制备多层硬质涂 层,并测试分析了涂层的组成结构、粗糙度和表面力学性能。