气相沉积栏目简介

气相沉积技术按照成膜机理可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。气相沉积栏目主要讲述了化学气相沉积技术和工艺,物理气相沉积原理等气相沉积技术。

MPCVD法制备石墨烯的研究进展

文章首先通过分析比较得出了制备石墨烯的几种主要方法的优缺点,重点强调了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备石墨烯的优势。

等离子体加强化学气相沉积法(PECVD)制备石墨薄膜
本课题利用PECVD方法在铜箔上沉积出石墨薄膜。借助于光学显微镜,Raman 光谱,SEM 等手段对薄膜微观结构及成分进行了分析。
等离子体加强化学气相沉积法(PECVD)制备石墨烯现状及应用研究发展
利用PECVD方法制备石墨烯具有基本温度低,成膜质量好,生长面积大,透明度高等特点,近年来逐渐成为制备高质量石墨烯的发展方向。
化学气相沉积金刚石薄膜的紫外脉冲准分子激光抛光
目前的热化学抛光法、化学机械抛光法等接触式抛光方法存在易使金刚石膜受损并可能引入其它缺陷和杂质等缺点,限制了其应用范围。
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜, 并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。
基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统
基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统
物理气相沉积(PVD)技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
化学气相沉积金刚石薄膜的摩擦学性能研究进展
介绍了化学气相沉积金刚石薄膜的主要方法,着重讨论了金刚石薄膜的摩擦学性能研究,简要分析了化学气相沉积金刚石薄膜中存在的问题。
PVD(物理气相沉积)简介
PVD就是物理气相沉积,英文就是Physical Vapor Deposition。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术基础
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
化学气相沉积(CVD)的概念与优点
化学气相淀积CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
化学气相沉积技术在冷拔模具上的应用
化学气相沉积(CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。上海冷拉型钢厂将这项技术应用于模具,取得显著效益。