真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

纳米金刚石的制备及研究进展
通过简要描述纳米金刚石薄膜的生长机制,介绍了两种制备纳米金刚石薄膜的方法及其优势,讨论了两种方法在纳米金刚石的质量、尺寸及沉积速率等方面取得的最新研究进展,并对今后的主要研究方向进行了展望。
波长渐变膜的设计与制备
本文介绍了波长渐变膜的设计方法和光学性能,使用自制的掩模板和掩模板切换装置,在磁控溅射机内镀制波长渐变膜的工艺过程并分析结果。
用铝丝掺杂溅射ZnO薄膜的光电性能研究
本文采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并且通过将铝丝置于ZnO靶材表面来共同溅射制备了AZO薄膜,分析了它们的结构和光电特性。
基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法研究
本文提出了基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法,综合了单因素试验和数字模拟的正交试验设计两种优化方法。
高温铝液中TiAlN硬镀层失效机理研究
本文以H13钢基体上的磁控溅射TiAlN镀层为研究对象,通过镀层在高温铝液中长时间浸蚀后对表面、截面形貌变化和成分分析等途径,探讨硬质镀层在高温铝液中的失效机理。
大曲率球形基底表面膜厚均匀性的实现
针对球形基底膜厚均匀性问题,提出了一种新的思路,设计改造了一种新型布局的磁控溅射设备,以解决大曲率球形基底外表面膜层的均匀性问题。
半球形基底镀膜膜厚均匀性理论分析
对特殊的非平面基片-半球表面上镀制薄膜的膜厚均匀性进行了理论分析研究。该研究工作对半球面这种复杂的非平面基片上镀膜膜厚均匀性研究工作具有理论指导意义,同时对改善此种表面上的膜厚分布研究提供了相关的理论依据。
超高阻隔膜制备工艺现状及市场发展
回顾了普通包装膜到超高阻隔封装膜的研究发展历程,系统阐述用于柔性电子元件封装的超高阻隔无机氧化物薄膜的制备工艺现状,并对其市场的发展前景进行了深入的调查研究。
应用于工具镀膜的磁场辅助离子镀弧源及其放电特性分析
本文比较分析了不同磁场辅助受控弧源的靶结构、磁场位形及产生机制,讨论了不同位形的磁场对弧斑运动、放电的影响以及由此导致的镀膜工艺的优缺点等,对磁场控制的电弧离子镀弧源的发展进行了展望。
脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究
本文在实验中固定直流偏压为100V,叠加不同的脉冲偏压和不同占空比下成功制备了TiAlN薄膜,并对薄膜的微观结构、原子组成和力学性能进行讨论和总结。
基体结构对Al/BN涂层性能的影响
本文针对在役的Al/BN涂层显微组织、结合强度、涂层硬度等内容进行研究,为涂层质量可靠性评价提供借鉴,以提高等离子喷涂Al/BN涂层的质量稳定性及质量控制水平。
基底预处理对非晶碳/Mo2C复合薄膜场发射性能的影响
本文采用机械研磨方法对Al2O3陶瓷衬底进行预处理,采用直流磁控溅射技术在基底上溅射Mo过渡层,随后在微波等离子体增强化学沉积(MPECVD)系统中沉积非晶碳薄膜,研究了不同粒度金刚砂研磨基底对所制备样品的场发射性能的影响。
复合高功率脉冲磁控溅射放电等离子体特性
本文采用脉冲与直流电源并联模式的复合HIPIMS,针对Ti、Cr靶研究脉冲电压对复合HIPIMS 过程中的靶电压、靶电流、电子密度(Ne)、电子温度(Te)、等离子体电势(Vs)以及基体电流等微观参数的影响。
非晶硅锗薄膜电池研究进展及发展方向
本文主要通过介绍不同研究机构的主要研究方向阐述非晶硅锗电池的研究历史、研究问题以及发展方向。
背电极ZnO:Al薄膜与n-a-Si:H膜接触特性的研究
本文采用PECVD法在ZnO:Al薄膜上沉积了n-a-Si:H薄膜,接着分别用电子束蒸发和磁控溅射法在n-a-Si:H薄膜上制备ZnO:Al薄膜,并对ZnO:Al薄膜与n-a-Si:H薄膜的电接触特性进行了研究,从而找到ZnO:Al薄膜的最优化条件。