真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

TiO2薄膜元件阻变机理的模拟研究
本文从模拟计算的角度对TiO2薄膜阻变机理进行研究,这在阻变机理推导研究中鲜见报道。通过将计算模拟结果分析得出的推断与本课题组先前实验研究得出的结论进行比较,可获得更全面的阻变机制解释。
多弧离子镀与磁控溅射联用镀制TiN/SiO2复合装饰薄膜的研究
本文结合多弧离子镀和磁控溅射两种镀膜方法的优点,制备了TiN/SiO2复合薄膜。通过扫描电镜可以观察到,制备的复合膜比单纯的氮化钛薄膜更加致密和光滑,基本消除了大颗粒的影响。
沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响
本文用磁控溅射法制备了ZnS薄膜,并对薄膜的物理性质及光学性质进行了细致的研究。为ZnS薄膜材料的进一步应用,提供了实验依据。
La掺杂对SnO2薄膜光学特性影响的第一性原理及实验研究
目前为止,对于第一性原理的研究大多数都集中在F、Sb、In、Fe上,对稀土掺杂SnO2报道较少,本文结合理论与实验对La 掺杂SnO2薄膜的光学性能进行分析,并为以后研究提供相应的参考依据。
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
采用脉冲激光沉积法,在单侧抛光的STO基底上制备YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。
等离子体增强原子层沉积Al2O3钝化多晶黑硅的研究
本文使用金属辅助化学法制备多晶黑硅,再经低浓度碱溶液处理优化黑硅结构,最后用PEALD沉积了不同厚度的Al2O3钝化层。采用扫描电镜、分光光度计和少子寿命测试仪对黑硅的表面形貌、减反射特性和少子寿命变化进行了分析。
不同相结构Ti33Al67靶材磁控溅射薄膜对比研究
本文研究了一种成分相同,而相结构完全不同的Ti33Al67靶材沉积薄膜的性能,从微观角度探讨了两种靶材沉积薄膜性能产生差异的原因。
ZnO纳米棒/CNTs复合阴极的制备及其场发射性能的研究
本文采用低成本和简单的方式来实现ZnO纳米棒和CNTs的复合,通过水热法生成ZnO纳米棒阵列,利用简单的喷涂方法来获得ZnO纳米棒/CNTs复合阴极,该复合阴极有极优的场发射性能。
能量过滤磁控溅射技术室温制备ITO膜的光电特性及其应用
本文利用该技术制备了TOLED器件的ITO阳极,研究了ITO薄膜的结构、光学和电学性能,测试了TOLED的发光效率并与DMS 技术制备的器件作了对比。
调制周期对Ti-TiN-Zr-ZrN多层膜性能的影响
采用真空阴极电弧沉积技术,在TC11 钛合金表面沉积同等厚度的三种不同调制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 软硬交替多层膜。
Ti-Al-Si-N涂层界面微结构研究
采用多元等离子体浸没离子注入与沉积装置制备Ti-Al-Si-N涂层,借助X射线衍射仪、X射线光电子能谱、透射电子显微镜、纳米探针和原子力显微镜等系统研究涂层界面微结构与力学性能。
大批量微细刀具HFCVD涂层制备的温度场仿真与试验分析
本文以HFCVD沉积大批量微细刀具金刚石涂层系统为研究对象,利用有限容积法的仿真方法,对影响基体温度场的多个工艺参数进行仿真与分析,并提出优化设计的方案。
电弧离子镀与磁控溅射复合技术制备Ti/TiN/TiAlN复合涂层的组织结构与力学性能
采用磁控溅射和电弧离子镀技术,在高速钢基体上制备了Ti/TiN/TiAlN复合涂层。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微硬度计、微米划痕仪等方法研究了镀覆条件对复合涂层的形貌、组织结构和力学性能的影响。
钛表面等离子体氧化及其对细胞粘附增殖的影响
本试验在喷砂酸蚀工艺处理获得的钛片试样表面进行等离子体氧化,分析等离子体氧化后钛试样的表面形貌、化学组成、价键状态、亲水性和成骨细胞粘附增殖的情况。
原子层沉积制备VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技术,以VO(acac)2和O2分别作为钒源和氧源,以玻璃为基底,在实现饱和吸附的前提下,通过改变沉积条件以及退火条件来研究不同反应温度及退火条件对VO2薄膜结构及性能的影响,为后续VO2薄膜进一步研究应用作以理论研究。