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真空镀膜

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电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

Ti/TiB2多层膜在Hank’s 模拟体液中耐蚀性研究

采用磁控溅射法在医用钛合金Ti6Al4V 和硅基体上沉积了Ti /TiB2多层膜。通过X 射线衍射仪分析了薄膜的相结构，采用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌和断面多层结构，利用电化学法研究了Ti /TiB2多层膜在Hank’s 模拟体液
ZrB2体材及薄膜制备技术研究

本研究采用冷等静压成型加高温烧结的方法制备ZrB2块材，并采用磁控溅射技术在UO2燃料芯块表面制备ZrB2膜层，为一体化可燃毒物的制备奠定基础。
新型La2Zr2O7环境障涂层的1300℃热冲击行为研究

采用化学气相沉积和原位合成工艺在Cf/SiC 基体上制备了Si/3Al2O3·2SiO2/La2Zr2O7 新型环境障涂层，研究了EBC 涂层在1300 ℃的抗热冲击性能。
稀土Dy掺杂ZnTe薄膜光学性能及其XPS研究

本文利用真空蒸发双源法制备了稀土元素Dy掺杂ZnTe薄膜，发现掺杂并没有改变薄膜的物相结构，但对薄膜的结晶、形貌及光学性质产生了明显影响，为CdTe太阳电池背接触层的进一步发展提供了实验依据。
双排全幅宽无间隔布局快速蒸发ZnS镀膜技术的研究

本文详细介绍了双排全幅宽无间隔布局快速蒸发ZnS 镀膜技术的工作原理、结构组成、性能特点和创新设计要点。分析并指出影响ZnS 镀膜质量、生产效益的主要因素和解决途径。
ITO 薄膜方块电阻测试方法的探讨

针对ITO 薄膜方块电阻测试方法，文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的结构、物理特性不同特点，测试方块电阻时应注意的细节作
氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析

本文采用射频磁控溅射法制备了a-Si:H 薄膜，通过椭圆偏振光谱对不同气压下薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。
共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究

本文通过采用新的制备方法(直流- 射频双靶共溅射)成功制备出Cu掺杂的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶溅射功率与氧分压对薄膜结构及性能的影响。
衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响

研究了衬底材料对微晶硅薄膜生长的影响，并在低温下制备出微晶硅薄膜，这个对于柔性基材尤为重要。具有高等离子体密度和低电子温度的空心阴极等离子体增强化学气相沉积(MHC-PECVD)被用来生长微晶硅薄膜。
Cu（In,Al）（S,Se）2薄膜的三靶共溅射制备与性能表征

本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共溅射的工艺制备了CIA合金预制膜，以溅射的方式引入掺杂的Al元素。之后再经过不同温度和时间下的固态源硫硒化退火，以期研究制备出具有黄铜矿结构特征的CIASSe薄膜。
离子轰击对HIPIMS制备TiN薄膜结构和性能的影响

本文采用HIPIMS技术制备TiN薄膜，通过调整基底旋转方式控制基体是否接受离子持续轰击，进而研究离子轰击对薄膜结构、表面形貌以及性能产生的影响。
活塞环表面CrMoN复合薄膜的结构及摩擦学性能研究

本文采用闭合场非平衡磁控溅射技术，通过改变Mo靶电流值大小在活塞环表面制备了不同Mo原子百分含量的CrMoN复合薄膜，并对其化学成分、相结构、表面形貌进行研究。比较研究了电镀Cr活塞环与CrMoN复合薄膜活塞环的硬度
不同调制比NbSiN/VN多层膜微观结构、力学和摩擦性能研究

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直流电弧等离子蒸发法制备纳米银粉及其表面改性

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蓝宝石镀Ti/Ni复合膜及高温预扩散的研究

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微晶硅薄膜材料的沉积以及微结构与光电特性的研究

本文采用RF-PECVD技术，在较高的射频功率和沉积气压条件下，通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数，制备微晶硅薄膜材料。研究了沉积参数对微晶硅薄膜材料的微结构以及光电特性的影响，并研究了它们光电特性及其相关性。
等离子体增强原子层沉积系统及其应用研究

关于ALD技术和工艺的研究已经较为深入，关于PEALD技术和应用的研究也越来越受到研究者的关注。为了深入研究PEALD的关键技术和工艺条件，作者设计了一套远程脉冲PEALD系统，并首次探索了其在原位沉积氮掺杂纳米TiO2可
外延BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的结构和性能研究

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蒸发源位于半球面正下方膜厚分布理论研究

对蒸发源位于非平面基底-半球面正下方时膜厚均匀性进行了理论研究。
真空镀铝技术在反光布上的应用

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