真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

基于负偏压收集极的绝缘体二次电子发射系数测量
通过给收集极设定负偏压,本文提出了一种新的电荷中和方法,有效地中和了在测量过程中累积在样品表面的电荷。
辉弧共溅射Ar/N2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响
本文在固定其它工艺参数的基础上研究了Ar/N2流量比对TiN 薄膜结构及硬度的影响。
低温等离子体辅助脉冲直流磁控溅射制备TiN薄膜
采用一种新型的等离子体辅助脉冲直流磁控溅射溅射沉积方法,在低温状态下制备了氮化钛薄膜,并对氮化钛薄膜进行了表征,研究了等离子体源在薄膜制备过程中的作用。
Si3N4球/DLC膜摩擦副在真空环境下的摩擦学行为研究
本文研究了真空环境下DLC膜与Si3N4摩擦副的摩擦学行为,分析探讨DLC膜摩擦副在真空环境下的摩擦磨损机理,为DLC膜在真空环境下的应用提供理论依据。
(Ti,Al,Si,C)N硬质膜层高温性能研究
采用等离子增强电弧离子镀联合磁控溅射工艺制备了含35%(原子比)C的(Ti,Al,Si,C)N硬质膜层,并利用扫描电镜、X射线衍射仪及高温摩擦磨损试验仪表征了膜层在不同退火条件下的性能及组织演变行为。
银基透明导电薄膜制备及其性能研究
本文采用磁控溅射沉积,通过优化Ag层与上下介质层膜厚,获得了ZnO/Ag/ZnO、AZO/Ag/AZO 体系的三层透明导电薄膜,并且在Ag与氧化物界面插入超薄LiF或Al来探究该体系多层膜的热稳定性。
射频磁控溅射法沉积SiC-Al薄膜的摩擦特性
通过使用双靶位磁控溅射设备在Ti-6Al-4V合金上沉积了SiC-Al 薄膜,着重研究了Al原子的浓度对SiC-Al薄膜的摩擦系数的影响以及Al中间层对界面强度的影响。
直流磁控溅射中矩形平面靶刻蚀形貌的数值计算及优化
本文通过在基片和靶材间加正向电场,改变了电子的运动轨迹和空间分布,优化了矩形平面靶的刻蚀形貌,提高了靶材利用率。
航天薄膜材料力学性能评价及误差分析研究
通过理论分析与试验研究,从薄膜材料、样品加工、拉伸试验及模拟试验四个角度,对空间环境下薄膜材料力学性能退化试验的误差来源及影响进行了研究。
电场仪球形传感器涂覆方案研究
电场仪涂层的均匀性是影响其电场测量精度的重要因素,手工喷涂方案难以满足涂层的均匀性需求,且工艺不稳定。为解决电场仪球形传感器涂层喷涂的均匀性问题,提出了一种新的喷涂方案。
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在碳纤维上制备碳纳米管
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在碳纤维上制备了碳纳米管,并在此基础上系统地研究了微波功率、反应时间、催化剂前驱体的吸附时间以及吸附浓度对碳纳米管生长的影响。
MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用
本文将首先简述MPCVD方法沉积金刚石膜的原理,进而介绍国内外MPCVD金刚石膜沉积技术的发展现状以及MPCVD方法在制备高品质金刚石膜材料方面的应用情况。
离子镀膜技术的进展
本文介绍了离子镀膜技术的意义、各种镀膜技术的原理、特点、发展和应用范围。
TiO2薄膜光电导与光催化性能关系的研究
采用溶胶-凝胶法在石英基板上旋涂制备不同系列的TiO2薄膜样品(掺F浓度、保温时间、薄膜厚度、晶型) ,并用X射线衍射等分析测试手段对样品的结构等性能进行表征。