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铝诱导晶化低温制备多晶硅薄膜的机理研究
本文根据热力学第二定律的Gibbs自由能描述,理论研究了AIC制备多晶硅薄膜的ALILE机理,同时结合理论研究和实验结果理论计算了AIC制备多晶硅薄膜的激活能。
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W含量对CrSiWN薄膜微观结构、力学及摩擦性能的影响
采用射频磁控溅射制备不同W含量的CrSiWN薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、能量散射谱、纳米压痕仪和摩擦磨损实验机对薄膜的相结构、形貌、成分和摩擦性能进行分析。
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ZnO插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响
本实验以ZnO作为Ta(4nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)薄膜中Ta层和Ni81Fe19层界面处的纳米氧化层,研究氧化层ZnO的插入对坡莫合金薄膜AMR的影响。
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真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究
用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。
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铝掺杂及温度对氧化锌薄膜发光特性的影响
本文中采用水热法制备了掺铝氧化锌(AZO)纳米结构薄膜,使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和变温光致发光谱技术测试了薄膜的微结构和在低温下的光致发光特性,并分析了铝掺杂和温度变化对氧化锌光致发光谱的影响。
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不同衬底温度下生长的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS 研究
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN) 陶瓷靶材, 采用脉冲激光沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基片制备立方BZN 薄膜, 衬底温度在500~ 700℃范围内变化。
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化学水浴法制备In2S3薄膜的组织和性能研究
采用化学水浴法在InCl3.4H2O 和CH3CSNH2 的酸性混合溶液体系中制备In2S3薄膜,并研究不同工艺下制备In2S3薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能。
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ICP-CVD制备a-CHON及光学性能分析
采用外置电感耦合等离子体化学气相沉积法, 以高纯CH4/N2/ CO2/H2作为反应气体, 制备出非晶的a-CHON薄膜。研究了放电功率对薄膜沉积速率、表面形貌及光学性能的影响。
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双波段3.0~5. 0μm 和7. 0~10. 0μm宽带增透膜的研究
为了增加红外窗口的透射率,研制了硫化锌基底上的双波段宽带增透膜。膜系设计采用硫化锌和氟化钇分别作为高、低折射率材料的多层膜结构。
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多孔Cr-TiO2/P3HT异质结薄膜的制备及光伏特性研究
采用溶胶-凝胶法,利用聚乙二醇2000(PEG 2000),成制备了多孔Cr掺杂TiO2(Cr-TiO2)纳米薄膜,并实现了PEG 2000 含量对Cr-TiO2薄膜多孔结构及其光透射特性的有效调制。
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