生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)真空科学与技术学报 作者:真空技术网

摘 要:用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.结果表明,Si1-xGex:C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大.


关键词:Si1-xGex:C合金薄膜;扩散;能量色散谱仪;化学气相淀积


分类号:TN304.2 文献标识码:A


文章编号:1672-7126(2008)增刊-052-04

Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films

Mei Qin  Han Ping  Wang Ronghua  Wu Jun  Xia Dongmei  Ge Ruiping  Zhao Hong  Xie Zili  Xiu Xiangqian  Zhang Rong  Zheng Youliao 

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