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溅射镀膜

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推荐磁控溅射铁磁性靶材的主要方法

由于磁控溅射铁磁性靶材的难点是靶材表面的磁场达不到正常磁控溅射时要求的磁场强度，因此解决的思路是增加铁磁性靶材表面剩磁的强度。

PET纤维基AZO透明导电薄膜溅射工艺参数的优化

室温下,结合正交实验表,用射频磁控溅射在涤纶(PET)非织造布基材上生长AZO(Al2O3:ZnO)纳米结构薄膜。采用四探针测量仪测试AZO薄膜的方块电阻,用原子力显微镜(AFM)分析薄膜微结构;通过正交分析法对实验L9(33)AZO薄膜的
负偏压对磁控溅射氧化铝薄膜的影响

适当的负偏压影响磁控溅射Al2O3薄膜的性能，有利于获得高阻隔性的包装材料。
ITO薄膜的磁控溅射关键工艺参数的优化

通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO 薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295 ℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8 %即主要工艺
JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备

JB/T8945—1999真空溅射镀膜设备标准适用于压力在1×10-4~5×10-3Pa范围的真空贱射镀膜设备，规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数，技术要求，试验方法，检验规则，标志、包装、运输和贮存等。
脉冲磁控溅射的工作原理和工作方式

脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。
反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法

反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜，可以在溅射纯金属或合金靶材时，通入一定的反应气体，如氧气、氮气，反应沉积化合物薄膜，这就称这反应磁控溅射。
非平衡磁控溅射的结构和运用

非平衡磁控溅射系统有两种结构，一种是其芯部磁场强度比外环高，磁力线没有闭合。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线没有完全形成闭合回路。
平衡磁控溅射的概念和优缺点

平衡磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。
反应溅射技术制备碳化钒薄膜的实验

采用在Ar2C2H2混合气体中的射频反应磁控溅射技术可以方便地合成碳化钒薄膜。但是,碳化钒薄膜的化学成分、相组成、微结构以及相应的力学性能对C2H2 分压非常敏感。
溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量

直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
直流溅射并结合热处理工艺制备氧化镍薄膜

采用直流溅射并结合热处理工艺在400～500℃退火温度下制备了表面光滑、结构致密、无微孔和裂缝的纳米晶NiO 薄膜.
反应溅射AlN 薄膜的动态特性

反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.
磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验

磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优
磁控溅射靶的磁场的优化设计

采用的是磁路叠加原理来改进磁控溅射靶的磁场，最后形成的水平磁场是接近于矩形波的双峰形式。这样靶面的磁力线和磁场强度的水平分量更加平滑, 能够有效地增加靶面跑道的宽度, 实现靶面均匀刻蚀。
磁控溅射靶的磁场排布分析

在平面磁控溅射靶中, 磁钢放置于靶材的后面, 穿过靶材表面的磁力线在靶材表面形成磁场。其中平行于靶面的磁场B 和垂直靶表面的电场E,形成平行于靶面的漂移场E×B。
溅射铝膜的结构与表面形态分析

X射线衍射图谱表明, 磁控溅射沉积的Al膜为多晶状态。用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察, 溅射气压为0.4Pa, 溅射功率为2600W时制备的Al膜较均匀致密。
直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响

Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大; 随着溅射气压的增大, 沉积速率不断增大, 在0.4 Pa 时达到最大值后, 沉积速率随溅射气压的继续增大而减小。
直流磁控溅射法在玻璃基片上制备铝薄膜的工艺研究

采用直流磁控溅射方法, 以高纯Al为靶材, 高纯Ar为溅射气体, 在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜。
磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能

本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。