并五苯分子在石墨烯/钌表面生长行为的研究

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)中国科学院物理研究所 作者:周海涛

  研究表明,钌表面外延生长的石墨烯的摩尔斑点结构显著调制了并五苯分子的吸附生长行为。分子优先吸附在fcc 位,然后再占据hcp 位。

  DFT 理论计算表明,分子吸附能主导了这种选择性和单分散性初期生长行为。并且,通过控制沉积速率及基底温度,成功制备了无序的、短程有序的和长程有序的并五苯分子薄膜。

  为研究分子排列方式对有机薄膜器件载流子迁移率的影响提供了很好的模板,对于理解和改善有机分子-石墨烯器件的性能有重要意义。

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