C60分子在石墨烯/钌表面生长行为的研究

石墨烯 李 更 中国科学院物理研究所

  在室温下,C60 分子在完美的石墨烯/钌摩尔斑点结构上公度生长会形成一种周期大约为3 nm 的超结构。未充分退火的石墨烯/钌样品表面有着各种各样的缺陷,在这样的基底上C60 分子依然排列成为周期性密堆的结构而不受样品表面台阶、缺陷以及起伏的影响。

  这些实验现象说明在石墨烯/钌表面C60分子间的相互作用强于分子与基底的相互作用,从而主导了C60 分子的生长行为。DFT 计算也证实了结论。

  本文的工作对于研究石墨烯/钌表面的超结构以及未来全碳电子器件可能会有一定的帮助。