真空溅射镀膜

真空溅射镀膜栏目主要讲述了真空溅射镀膜相关溅射镀膜原理、溅射沉积成膜技术、磁控溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子溅射镀膜等方面的知识。

制备工艺对磁控溅射Mo-N薄膜微结构和性能的影响
本文采用射频磁控溅射的方法,通过改变反应环境中的Mo 靶功率、氩氮比、负偏压等制备一系列的Mo-N 薄膜,利用X 射线衍射仪、纳米压痕仪、扫描电子显微镜和摩擦磨损测试仪对其相结构、显微硬度和摩擦性能进行研究。
溅射靶材对TiAlN涂层形貌、结构和力学性能的影响
本文通过设计两种靶材,分别是粉末冶金方法和真空熔炼方法制备的原子比为Ti50Al50的合金靶材,在同一磁控溅射设备及同一溅射工艺条件下进行镀膜实验,研究不同组织结构的Ti50Al50合金靶材对TiAlN涂层的组织结构和性能的影响。
沉积参数对硅碳氧薄膜光学性能的影响研究
采用射频磁控溅射技术在K9 玻璃上制备了硅碳氧薄膜,并研究了沉积参数对硅碳氧薄膜光学性能的影响。
Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析
通过研究离子束辅助沉积与传统气相原子沉积生成CIS 薄膜的过程,从扩散均匀性角度分析,对离子束的注入深度效应进行数值计算。
溅射膜电极与氧化锌压敏陶瓷的界面机制研究
利用溅射法制备半导体陶瓷表面的电极有着广阔的产业化前景,但关于溅射膜电极与陶瓷表面的界面机制研究尚鲜有报道。本文采用磁控溅射法在ZnO压敏陶瓷表面制备了Cr+Cu电极,通过X射线光电子能谱等技术研究分析了Cr/ZnO的界面反应及界面成分。
FeCoB-Al2O3软磁颗粒膜磁特性研究
为了获得软磁颗粒膜,本实验采用了更易控制薄膜成分的射频双靶共溅射制备了一系列的( Fe40Co40B20)1 - x( Al2O3)x软磁颗粒膜。通过振动样品磁强计( VSM) 以及矢量网络分析仪( VNA) 的测量,研究了基片转速、溅射气压、以及双靶溅射功率对于软磁颗粒膜特性的影响。
小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的方法
本文针对常规磁控溅射设备存在的上述问题,提出了一种新的思路,设计改造了一种新型布局的磁控溅射设备,以解决小靶材溅射在较大基底沉积均匀性膜层的难题。
中频磁控溅射TiAlN薄膜的制备与性能研究
本文采用中频磁控溅射法,在硬质合金YG6上制备了TiAlN薄膜, 通过XRD、SEM、EDS、体式显微镜、显微硬度仪和划痕仪分别对薄膜的相结构、表面与断口形貌、成分以及主要性能进行了测试分析。
旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算
本文应用ANSYS 有限元方法模拟分析单旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱磁控溅射阴极表面磁场分布规律。
溅射镀膜机理
溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量交换的过程,入射离子转移到逸出的溅射原子上的能量大约只有原来能量的1%,大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中,并转化为晶格的振动。
溅射镀膜现象
具有一定能量的离子入射到靶材表面时,入射离子与靶材中的原子和电子相互作用,出现一系列溅射镀膜现象,其一是引起靶材表面的粒子发射,包括溅射原子或分子、二次电子发射、正负离子发射、吸附杂质解吸和分解、光子辐射等;其二是在靶材表面产生一系列的物化效应,
铁氧体表面耐高温Ni-V/Ag复合金属化薄膜的研究
在现有研究的基础上,提出了以磁控溅射Ni-V/Ag复合层作为铁氧体的金属化膜层,进一步将薄膜承受420℃高温无铅焊锡的时间提升到10s,并详细研究了高温下Ni-V/Ag膜层与焊锡的反应过程与金属间化合物(IMC)。
欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al2O3薄膜
本文首先采用中频孪生靶非平衡闭合磁场脉冲直流反应磁控溅射方法,进行了Al2O3薄膜的工艺研究,包括溅射电压与氧流量的关系。在此基础上,提出了射频等离子体辅助溅射的方法,研究了射频等离子体源功率与Al2O3光学性能、表面形貌以及沉积速率的关系,得到了最佳的沉积工
射频磁控溅射法制备TiSiN纳米复合涂层的结构与性能研究
本文采用工业上较为常用的射频磁控溅射工艺制备了TiSiN涂层,系统研究了不同溅射气压、不同基片温度以及不同N2/Ar气流比条件下TiSiN纳米复合涂层的微观结构与力学性能,并对TiSiN涂层的溅射工艺进行优化,以期为该涂层的射频磁控溅射制备和工业化生产提供技术参考。
铝合金表面磁控溅射Cu膜的镀制及其低温钎焊性能研究
Ti作为过渡层可改善膜基结合力,本文采用离子注入技术与磁控溅射镀膜结合的方法对铝合金进行表面改性,主要考察了磁控溅射镀膜中基体偏压对薄膜沉积速率、表面形貌、相结构以及低温钎焊性能的影响。