真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

ITO 薄膜方块电阻测试方法的探讨
针对ITO 薄膜方块电阻测试方法,文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的结构、物理特性不同特点,测试方块电阻时应注意的细节作出了必要的阐述。
中频磁控溅射TiAlN薄膜的制备与性能研究
本文采用中频磁控溅射法,在硬质合金YG6上制备了TiAlN薄膜, 通过XRD、SEM、EDS、体式显微镜、显微硬度仪和划痕仪分别对薄膜的相结构、表面与断口形貌、成分以及主要性能进行了测试分析。
氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析
本文采用射频磁控溅射法制备了a-Si:H 薄膜,通过椭圆偏振光谱对不同气压下薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。
旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算
本文应用ANSYS 有限元方法模拟分析单旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱磁控溅射阴极表面磁场分布规律。
电子束物理气相沉积热障涂层抗冲蚀性能研究
通过AIP和EB-PVD技术制备的热障涂层,在其抗冲蚀性能评价方面仍然没有详细的报道。为此,本研究利用AIP法制备HY3涂层,利用EB-PVD制备YSZ陶瓷面层,对其组分、相结构和抗冲蚀性能进行系统研究,并对评价设备作介绍。
共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究
本文通过采用新的制备方法(直流- 射频双靶共溅射)成功制备出Cu掺杂的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶溅射功率与氧分压对薄膜结构及性能的影响。
溅射镀膜机理
溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量交换的过程,入射离子转移到逸出的溅射原子上的能量大约只有原来能量的1%,大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中,并转化为晶格的振动。
溅射镀膜现象
具有一定能量的离子入射到靶材表面时,入射离子与靶材中的原子和电子相互作用,出现一系列溅射镀膜现象,其一是引起靶材表面的粒子发射,包括溅射原子或分子、二次电子发射、正负离子发射、吸附杂质解吸和分解、光子辐射等;其二是在靶材表面产生一系列的物化效应,
衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响
研究了衬底材料对微晶硅薄膜生长的影响,并在低温下制备出微晶硅薄膜,这个对于柔性基材尤为重要。具有高等离子体密度和低电子温度的空心阴极等离子体增强化学气相沉积(MHC-PECVD)被用来生长微晶硅薄膜。
Cu(In,Al)(S,Se)2薄膜的三靶共溅射制备与性能表征
本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共溅射的工艺制备了CIA合金预制膜,以溅射的方式引入掺杂的Al元素。之后再经过不同温度和时间下的固态源硫硒化退火,以期研究制备出具有黄铜矿结构特征的CIASSe薄膜。
铁氧体表面耐高温Ni-V/Ag复合金属化薄膜的研究
在现有研究的基础上,提出了以磁控溅射Ni-V/Ag复合层作为铁氧体的金属化膜层,进一步将薄膜承受420℃高温无铅焊锡的时间提升到10s,并详细研究了高温下Ni-V/Ag膜层与焊锡的反应过程与金属间化合物(IMC)。
欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al2O3薄膜
本文首先采用中频孪生靶非平衡闭合磁场脉冲直流反应磁控溅射方法,进行了Al2O3薄膜的工艺研究,包括溅射电压与氧流量的关系。在此基础上,提出了射频等离子体辅助溅射的方法,研究了射频等离子体源功率与Al2O3光学性能、表面形貌以及沉积速率的关系,得到了最佳的沉积工
离子轰击对HIPIMS制备TiN薄膜结构和性能的影响
本文采用HIPIMS技术制备TiN薄膜,通过调整基底旋转方式控制基体是否接受离子持续轰击,进而研究离子轰击对薄膜结构、表面形貌以及性能产生的影响。
活塞环表面CrMoN复合薄膜的结构及摩擦学性能研究
本文采用闭合场非平衡磁控溅射技术,通过改变Mo靶电流值大小在活塞环表面制备了不同Mo原子百分含量的CrMoN复合薄膜,并对其化学成分、相结构、表面形貌进行研究。比较研究了电镀Cr活塞环与CrMoN复合薄膜活塞环的硬度,深入分析了不同摩擦副的磨损机制。
射频磁控溅射法制备TiSiN纳米复合涂层的结构与性能研究
本文采用工业上较为常用的射频磁控溅射工艺制备了TiSiN涂层,系统研究了不同溅射气压、不同基片温度以及不同N2/Ar气流比条件下TiSiN纳米复合涂层的微观结构与力学性能,并对TiSiN涂层的溅射工艺进行优化,以期为该涂层的射频磁控溅射制备和工业化生产提供技术参考。