真空镀膜栏目简介

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

真空卷绕镀膜技术研究进展

本文从系统结构、参数控制和镀膜方式等综述了真空卷绕镀膜技术研究进展。

孪生磁控溅射制备氮化铬涂层的研究
本文的主要目的是利用中频磁控溅射技术优势制备CrNx涂层并研究氮气流量对涂层结构、耐腐蚀等性能的影响。
离子束辅助磁控溅射沉积CrNx薄膜结构以及力学性能研究
本文采用离子束辅助磁控溅射制备CrNx薄膜,研究了不同氮气流量下薄膜的微形貌、组织结构以及硬度、弹性模量的变化,分析了离子束辅助对反应磁控溅射沉积CrNx薄膜的影响。
反应磁控溅射技术的发展情况及趋势
综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的“Berg”经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展趋势。
栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究
本文针对AL层的SiH4和H2流量、压力、间距以及功率设计了5因子2水平的1/4的部分因子实验,确定了AL层提升Ion的最佳的沉积条件,在AL层的最佳的沉积条件的基础上,设计GL层的NH3流量和功率的全因子实验。
类金刚石膜-磨粒滑动接触过程的有限元分析
本文采用ANSYS有限元软件分析磨粒与DLC膜表面滑动接触的整个过程,研究DLC膜表面接触区域的相关应力和应变的变化特点,力图为DLC膜的表面磨损机理研究以及抗磨设计提供相关理论依据。
放电功率对VHF- PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真模拟
本文采用Comsol中的等离子体模块和Chemkinpro中的AUROR模块相结合的方法,研究了甚文频PEVCD沉积μc-Si:H薄膜过程中放电功率对等离子体特性、气相反应和表面生长的影响,并与实验进行了比较。
磁控溅射掺铜TiO2薄膜光学特性的分析
本文采用了磁控溅射法制备Cu掺杂TiO2薄膜,分析了Cu 的掺杂量对TiO2薄膜吸光度,禁带宽度的影响,探究Cu在TiO2薄膜中的形态特征。
SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究
本工作以获得具有完整剖面结构的低表面粗糙度沟道为目标,采用C2F6/O2/Ar双频容性耦合等离子体,开展了SiCOH低k介质中沟道刻蚀的研究。
氮流量比对直流/射频磁控溅射CrN涂层耐腐蚀性的影响
本文采用线性极化曲线的方法计算极化电阻,并利用测得的动态极化曲线获得腐蚀电流icorr。采用Sirion场发射扫描电子显微镜(SEM)观察涂层腐蚀前后的形貌,并测定涂层厚度。
电泳沉积碳纳米管场发射阴极研究进展
本文将介绍电泳法的主要技术工艺与发展,以及基于电泳技术的碳纳米管薄膜材料在场电子发射阴极的研发新进展。
XJPD-900磁控溅射设备的控制软件编程及工艺试验
本文对XJPD-900磁控溅射生产线的控制系统进行了设计,重点对应用PLC和iFix组态软件实现工艺过程自动控制以及EXCEL表格数据存储等的程序做了设计分析,完成了整机的工艺试验。
DC-HCPCVD法高CH4流量下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究
本文在CH4/H2气氛下,在高CH4流量(8sccm~12sccm)下制备纳米金刚石膜,研究所得纳米金刚石膜的形貌与结构,扩展直流热阴极PCVD法纳米金刚石膜制备工艺。
双靶共溅射TiAl系高温耐磨薄膜制备与研究
本实验采用纯金属铝和钛作为双靶,通过改变基体相对于靶材的溅射位置,在同一次溅射过程中,制备了一系列大范围成份变化的Ti-Al系金属间化合物薄膜。
金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究
本文研究了几种金属在多晶锗硅薄膜上的肖特基接触特性。
Cr层厚度对Pd/Cr/Co多层膜光学性质的影响
本文对Pd/Cr/Co多层膜的光学常数进行了测量,并研究了Cr插层的厚度对多层膜光学性质的影响。