CVD法制备单根磷掺杂P型ZnO纳米线

通过CVD 方法制备得到了磷掺杂的 ZnO 纳米线，用扫描电子显微镜（SEM）、X 射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）、拉曼（Raman）等多种表征手段对制备得到的样品进行了表征。

用基于真空喷雾法制备的梯度结构来提高聚合物发光器件的光强

制备的具有梯度结构的聚合物发光器件发出光的强度，比用旋涂法和真空喷雾法所制备的单纯高分子发光器件和混合结构的高分子发光器件更高

应用于CIGS太阳能电池窗口层的透明导电氧化物AZO薄膜的制备与研究

采用射频磁控溅射技术，在常温条件下，制备出了性能优良的透明导电AZO薄膜薄膜。

单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

用一种简单的气相合成方法成功地制备出了大量高纯单晶氮化硅（α-Si3N4）纳米线，氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带 （波长从500~700 nm），发光峰位于567 nm。

单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备

采用一种简单的热蒸法制备单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线。

卷绕式镀膜机张力控制的改进及Matlab仿真

卷绕式镀膜机张力控制的改进及Matlab仿真

导电薄膜电阻测量技术的可靠性研究

针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题，进行分析研究，提出了解决方案，并在实验中得到实现。

一种新型基于TiO2半导体薄膜的电致变色阵列器件

基于TiO2半导体薄膜的电致变色器件具有很高的稳定性，在未来显示领域“电子纸”的商业化进程中具有很大的竞争潜力

基于露点法判断冻干过程的一次升华结束点

根据冻干过程干燥室内的露点值和物料的水分含量有关提出一种新的方法———露点法来监控冻干过程物料的水分迁移情况

DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究

采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD) 法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。

两种硫酸根含量测定方法的比较

们对两种硫酸根含量的测定方法--分光光度法和容量滴定法进行了比较

粗粒度盐的生产小结

浅谈我公司对洗浴盐发展的探索

洗浴盐作为一个绿色健康产业，发展前景不可限量。

磁控溅射制备(Ti,Al,Cr)N硬质薄膜及其力学性能的研究

采用超高真空反应磁控共溅射在不锈钢基体上成功制备TiAlCrN薄膜。通过改变Cr靶溅射功率得到不同表面形貌、不同力学性能的TiAlCrN薄膜。

方块电阻测试仪的智能化方案

对方块电阻测试仪仪器功能进行智能化，有利于提高方块电阻测试仪的可靠性，减少人为因素对测量结果的影响，增强仪器对测量数据的管理能力。

纳米ZnO/CdSe@ZnS量子点自组装荧光薄膜的制备

采用GDARE技术制备了ZnO纳米颗粒膜，XRD分析表明晶粒生长主要沿着（002）晶面，薄膜呈现为有一定择优取向生长的多晶结构，AFM图像观察到其平均粒径为50–80nm。

磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究

利用有限元软件ANSYS和数值分析软件MATLAB仿真了磁控溅射中电磁场的分布，结合受力分析和运动理论得到了粒子在空间区域内的运动以及它们在靶面附近的位置分布特点。

Cr/CrN多层膜的结构及腐蚀性能研究

利用电弧离子镀设备，在45#钢基体上制备了两种调制比的Cr/CrN多层膜。采用X 射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)、M273A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、横截面元素分布、模拟海

真空镀铝膜耐曲揉性(揉搓性)检测

被视为铝箔代替品的真空镀铝材料，在耐折性、韧性上已有很大的改进，但要想确保其在经过曲揉后的综合性能进而确保产品的包装安全，对其进行耐曲揉性检测是不可或缺的重要手段。

Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS2薄膜性能影响

采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜，采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。