导电薄膜电阻测量技术的可靠性研究

2009-12-14 谢鸿波 广州半导体材料研究所

  针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题,进行分析研究,提出了解决方案,并在实验中得到实现。研究的问题包括:电池供电的电压监测;探头完全与被测样品接触良好的检测;防止探针对被测样品造成电击穿;测量时自动进行量程转换等。

  随着溅射技术、靶材技术的发展深入和成熟,使以氧化铟锡透明导电玻璃(ITO 玻璃)为代表的导电薄膜材料的制造和应用越来越广泛。ITO 玻璃目前是与液晶显示等平面显示技术配套的关键组件。从1987 年起至今,ITO 玻璃的制造在国内已有二十年的历史。产品已广泛用于电子手表、计算器、游戏机、移动电话、电脑显示器、平面电视等消费类产品,以及各种光电仪器设备和科学实验中的透明导电电极等。现在,国内已有ITO 玻璃生产企业的单位年生产能力由60 万片提高到了2000 万片。产品也从TN 型ITO 玻璃,延伸到STN 型、触摸屏、彩色滤光片……众多品种。

1、导电薄膜材料的检测参数

  面对越来越大量的导电薄膜材料的生产制造,如何保证产品的质量?除了要求生产企业的生产线稳定性不断提高,检测技术在此也提供了强有力的支撑作用。

  ITO 玻璃的产品质量检测包括以下几个方面:尺寸、方块电阻、蚀刻性能、ITO 膜层耐碱性、光电性能和可靠性等。除尺寸方面的检测仅与玻璃原片有关外,其余几个方面都与ITO 玻璃生产的工艺过程有关。由于国内大多数ITO 玻璃生产企业自己不生产玻璃原片,所以与生产企业有关的ITO 玻璃产品质量参数就是:方块电阻、蚀刻性能、ITO 膜层耐碱性、光电性能和可靠性等。以上几个参数是由ITO 玻璃生产的工艺过程所确定,同时各个参数之间也存在必然的关联。可以说,这几个参数中的每一个,都可以是其余参数为变量的函数。事实上,在生产线的技术条件稳定,靶材选择固定的条件下,检测以上几个参数的任意一个,其结果都有代表性的意义。所以,我们选取方块电阻作为经常性检测的参数。因为对方块电阻的检测操作最简便,检测成本最低,并且瞬间就可以得到检测结果。

2、薄膜电阻的测量原理

  薄膜的膜层电阻通常以方块电阻(或面电阻、薄层电阻)来表示。按照电阻定律:

R = ρ × L/S (1)

  式中R 代表样品电阻,ρ 代表样品电阻率,L代表电流方向上的样品长度,S 代表样品垂直于电流方向上的截面积。可以得出膜层电阻的测量原理如下:如图1所示,G 表示玻璃原片;ITO 表示被溅射在玻璃原片上的氧化铟锡膜层;D 表示膜层的厚度;I 表示平行于玻璃原片表面而流经膜层的电流;L1 表示在电流方向上被测膜层的长度;L2 表示垂直于电流方向上被测膜层的长度。根据式(1),则膜层电阻R 为:

R = ρ×L1/(L2×D) (2)

  式中ρ 为膜层材料的电阻率。当(2) 式中L1= L2 时,定义这时的膜层电阻R 为膜层的方块电阻R□:

R□ = ρ /D(单位:Ω/□) (3)

  它表示膜层的方块电阻值仅与膜层材料本身和膜层的厚度有关,而与膜层的表面积大小无关。这样,任意面积的膜层电阻R 的计算,由式(2)和式(3)得出:

R =R□(L1/L2) (单位Ω) (4)

膜层电阻方块电阻的测量

图1 膜层电阻图2 方块电阻的测量

  目前在实际的测量中,通常测量的是膜层的方块电阻。在线检测的仪器基本上采用“直排四探针”方法对膜层的方块电阻进行测量。原理如图2 所示。图中1、2、3、4 表示四根探针;S 表示探针间距;I 表示从探针1 流入、从探针4 流出的电流(单位:mA);△V 表示探针2、3 间的电位差(单位:mV)。

  此时,膜层的方块电阻R□可表示为:

R□= 4.53×△V/I(单位:Ω/□) (5)

  由上式可见,只要在测量时给样品输入适当的电流I,并测出相应的电位差△V,即可得出膜层的方块电阻值。

3、问题的提出

  实际上,在ITO 玻璃的生产过程中,检测最多的参数是ITO 玻璃的方块电阻。根据在不同岗位的检测需要,生产企业分别使用手提式和台式这两种方块电阻测仪。而手提式方块电阻测试仪相对使用较多。

  手提式方块电阻测试仪的特点如下:

  (1) 可手持仪器进行测量,操作简单、移动方便灵活。

  (2) 可采用电池供电,对测量过程的干扰因素较少。

  但存在的问题如下:

  (1) 采用电池供电时,仪器电源电压会出现从高到低变化。为保证仪器的正常工作,目前仪器上采用超前低电压报警的做法。由于“超前”较多,所以不能使电池得到充分的利用。因此提高了使用成本,增加更换电池的次数又降低生产效率。还造成多余电池的浪费,不利于环保。

  (2) 由于是手持仪器和探头进行操作,探头的四根探针不容易同时与被测样品接触良好,进而影响测量的可靠。目前仪器采用完全不对探针的接触状态进行检测,或仅对探头的其中部分探针进行检测的方法进行监测,漏测率至少还有50%。对检测结果的确定性仍有较大的风险。

  (3) 被测样品存在着在测量时被电流击穿(烧坏)的可能性,使样品遭受损坏。目前的仪器在电流输出回路上多数采用稳流(而非恒流)的措施,即依靠反馈回路或运算放大电路,当被测样品接入回路后,使回路电流稳定到预先设置的电流值。而当探头未与样品接触时,探头的1、4探针之间存在一定的电压,这个电压可能是几伏甚至几十伏。这就使当探头与样品接触(或探头离开样品)的瞬间,在接触点存在“打火”的可能,导致对膜层的损坏。

  (4) 当前主要的ITO 玻璃产品的方块电阻范围是10~200 Ω/□。如果生产线的不稳定,或者人为的特殊调整,以及在科学实验中制造更薄或更厚的ITO 薄膜和其它导电薄膜的需要,均有可能使薄膜的方块电阻达到1×10- 4~1×104 Ω/□。目前仪器采用手动更换测量量程,然后继续测试的做法,自然会给使用带来一定的不便。