阳极氧化法制备壁垒型Al2O3绝缘膜的研究

采用阳极氧化法在Al膜上制备具有绝缘性能的壁垒型Al2O3膜,研究不同成分比例的电解液、阳极氧化电压对壁垒型Al2O3膜性能的影响。

铜砷锑多元合金真空蒸馏硫化法除砷锑

从理论上分析了采用真空蒸馏硫化法处理铜砷锑多元合金除As,Sb的可行性,并通过实验探讨了加硫量、蒸馏温度、蒸馏时间对As,Sb脱除效果的影响。

石墨辅助NbSe2纳米棒的制备及其摩擦学性能

将石墨、铌粉、硒粉按配比称取,置于密闭体系中,于750℃下,固相反应制备出二硒化铌纳米棒,并使用X射线衍射、能量散射谱、扫描电镜和透射电镜对其进行结构形貌进行表征。

气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响

采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。

纳米α-Fe2O3的原位生长及其场发射性能研究

采用空气热氧化法在铁基片上原位生长纳米α-Fe2O3,并通过扫描电镜、X射线衍射、场发射等对600℃下氧化不同时间所制得样品的形貌、结构、场发射性能进行表征和分析。

离子镀Ti(1-x)AlxN涂层的形貌及力学性能研究

等离子体辅助铝诱导纳米硅制备多晶硅的研究

将纳米硅诱导源和等离子体辅助退火工艺相结合, 对于铝诱导法获得大晶粒、高质量的多晶硅薄膜具有十分重要的意义。

WC/DLC纳米多层膜微观结构研究

阳极层流型气体离子源与非平衡磁控溅射复合技术沉积制备WC/DLC纳米多层膜,并在膜/基间设计了中间过渡层。

Ta和Ag离子双注入Ti6Al4V合金抗Hank’s溶液腐蚀性能研究

采用Ta和Ag离子双注入对医用Ti6Al4V合金进行表面改性,以Ta离子1.5×1017ions/cm2先注入,Ag离子1×1017ions/cm2后注入合金样品表面。

La掺杂对CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中对薄膜进行热处理

IVA元素掺杂的ZnO的电学和光学性质

基于密度泛函理论的总体能量平面波模守恒赝势方法,对掺杂Si、Ge、Sn的ZnO的电导率和光学性质进行了理论研究。

CdSe量子点/PVK复合电双稳器件的制备及载流子输运性能研究

对电流-电压曲线和电容-电压曲线展开讨论,验证器件的载流子捕获与释放机制,阐述载流子在该器件的输运机制。

CASTOR托卡马克边缘温度涨落与密度涨落的特殊关系

在CASTOR托卡马克边缘,通过对能量分布函数b-i Maxwell分布电子的温度涨落和密度涨落的研究。

应用差分液相色谱/原子荧光法提高砷形态标准曲线的相关系数

当用液相色谱-原子荧光(HPLC-AFS)分析砷形态时,如果样品中包含保留时间接近的形态,将导致色谱峰部分重叠。

压缩超级像素遗传算法重现离轴电子全息图

对重现离轴电子全息图的遗传算法进行了研究,讨论了参考波波矢和超级像素尺寸对重现结果的影响规律,并在此基础上对遗传算法进行了改进。

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的研究

以电子束真空熔炼直接定向凝固技术制备5N 高纯铜大铸锭为研究目标, 利用电子束熔炼原材料, 熔体直接定向凝固后得到高纯铜铸锭。

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的氧氢元素去除效果

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的有了较大幅度的下降。

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的金属杂质去除效果

电子束精炼直接定向凝固获得的高纯铜, 含量较高的22 种杂质元素总量降低至2.765 *10- 6, 铜铸锭纯度提高至99.9997235% , 为5N 高纯铜。

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的凝固组织及晶粒取向

经过电子束精炼直接定向凝固得到直径59 mm*139 mm 高纯铜圆铸锭。沿其侧面剖切开表现出高纯特点的定向凝固组织通过X 射线衍射(XRD) 研究了晶粒取向的变化。

电子束真空精炼直接定向凝固制备高纯铜的实验过程

以电子束真空熔炼直接定向凝固技术制备5N 高纯铜大铸锭为研究目标, 利用电子束熔炼原材料, 熔体直接定向凝固后得到高纯铜铸锭。