大面积石墨烯二维晶体可控生长及其器件应用

石墨烯是理想的二维晶体，具有超高的载流子迁移率、电导率、热导率、透光性、强度等优点，在高速计算芯片、复合材料、平板显示、储能元件呈现出广阔的应用前景。

Si(100)表面二聚体翻转触发的自发链式反应

Si(100)表面的二聚体翻转在小分子解离吸附反应中起到了重要作用，可以触发其自发链式反应，对理解类似反应机理提供了参考，解决了之前理论和实验结果存在偏差的问题。

WS2纳米管的电学和光电特性及其纳米器件研究

与石墨烯类似，硫化钼和硫化钨等无机材料也具有层状结构，层间以范德瓦尔斯力相连，片层表面没有悬挂键，特别是它们本身具有半导体特性，还能吸收可见光。

ZnO薄膜结构与压电性能调控及其应用研究

基于GARFIELD 的气体电子倍增器的特性模拟

气体电子倍增器具有高计数率、抗辐射、高位置分辨率和时间分辨率等优点，已在粒子物理领域获得了重要应用，并在生物医学、材料科学和天体物理学等其他领域也表现出广泛的应用前景。

波段大功率速调管快速启动阴极的研究进展

本文主要通过对S 波段大功率速调管阴极热子热屏组合结构改进及加热方式的试验研究，阴极预热时间从原来15 min 的降至140 s，大大缩短了阴极的预热时间，从而实现阴极的快速启动。

金纳米结构的局域表面等离子体激元共振

目前关于金属纳米结构局域表面等离子体共振的研究吸引了国内外众多学者的兴趣，在本报告中将首先简单介绍该领域的一些研究现状。其次，将汇报一下关于金纳米结构局域表面等离子体共振近期的一些工作结果。

等离子体紫外光源技术的进展及应用

随着技术的发展和应用领域的拓展，平板紫外光源技术得到发展，体现了良好的发展前景。

氧化锌纳米冷阴极及应用探索

基于场致电子发射原理的冷阴极有可能在平板显示器、太阳能电池、微型卫星助推器、微型质谱仪、平行电子束光刻、冷阴极发光管、微真空三极管等信息电子器件上获得应用。

微波真空器件中的微电子技术

基于场致发射阴极和现代微细加工技术制作的微波真空电子器件，既可以实现器件的抗辐射，耐高温，高频率，大功率和瞬时启动，同时又能具有小体积，高效率，集成化和低成本，是性能十分理想的新型电子器件。

有机/无机复合半导体材料与太阳电池

有机/无机复合半导体材料是一种新型人工合成材料，兼具有机、无机半导体材料的优点，在性能上实现优势协同与功能互补，受到材料、物理、化学、信息、能源等研究领域的广泛关注，并已应用于新型太阳电池的研制。

功率半导体器件技术

功率半导体，即进行功率处理的半导体器件，它包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路，前两者也称为功率(分立)器件。

W 波段固态电子器件与电路

W 波段电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的要求。InP 基材料由于具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等特点在毫米波和太赫兹领域具有重要的应用前景。

拓扑绝缘体纳米结构与器件

本报告将介绍最近开展的拓扑绝缘体纳米结构的范德华外延生长、谱学、电学输运特性以及透明柔性导电薄膜应用等方面的研究。

基于非晶InGaZnO材料的阻变存储器与忆阻器

从材料结构及电子结构角度入手，将In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球对称的In 5s 轨道交叠较大，使得该材料具有形变对电学输运影响较小且迁移率较高的特点。

硅衬底上无微裂稀反极性畴AlN 薄膜的分子束外延研究

氮化铝(AlN)薄膜作为改善异质外延界面、调控热失配应力最有效的过渡层，是最关键的外延层之一。

直流磁控共溅射制备Zn-Sb 热电薄膜的研究

本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。

真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si 薄膜界面结构的影响

本研究中通过模拟的低地球轨道环境对Au/Cu/Si 薄膜样品进行处理，同时运用俄歇电子能谱、原子力显微镜、X 射线衍射等分析方法，研究薄膜表面和界面结构，界面层产物分布以及原子扩散过程。

钢基CVD 金刚石薄膜的制备、微结构及其机械性能的研究

通过本文的研究，在钢基上CVD 金刚石薄膜的机械和耐腐蚀性能方面取得了明显的突破，将有利于推动这种具有优良性能的耐磨涂层体系的工业化应用。

高迁移率Al-In-Zn-O 氧化物薄膜晶体管的研究

为了降低工业化成本，溶液法制备TAOS-TFT 受到了研究人员的青睐。然而，溶液法制备的氧化物半导体薄膜由于缺陷的存在，从而使得器件的迁移率较低、关态电流较大。