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真空镀膜

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电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

Kaufman低能宽束离子源的结构原理

Kaufman离子源是由阴极(Cathode)、阳极(Anode)、栅极(Grids)、放电室圆筒构成气体放电室(Discharge Chamber),栅极构成离子光学系统。
磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能

本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
红外低辐射膜的典型膜层结构

低辐射薄膜的中间金属层起着反射红外线的重要作用,一般选用银,因它在对红外光具有较高反射率的同时,对可见光还具有较高的透射率,按银膜的数量可分为单银膜、双银膜和多银膜,每层银膜厚度一般在10~18nm之间。
红外低辐射薄膜的节能原理

膜层的电导率σ值越大, 它对入射光的反射率越大; 电磁辐射的频率υ越小(或波长越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 导电薄膜对波长较大的红外线具有高反射性。
ZnO薄膜的器件应用

ZnO薄膜的主要应用有用作光伏电池的电极和窗口材料、在发光器件的应用、ZnO基紫外探测器、作为缓冲层/衬底、压敏器件、气敏传感器、压电器件。
ZnO薄膜的主要性质

本文讲述了ZnO薄膜的晶体结构、光学性质、电学性质等性质。
化学法制备ZnO薄膜的方法

PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、喷雾热解法(Spray Pyrolysis)、溶胶- 凝胶法是目前主要的一些化学制备ZnO薄膜的方法。
物理法制备ZnO薄膜的方法

物理法制备ZnO薄膜的的主要方法有溅射法(Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子层外延生长法(ALE)等。
宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺

ZnO薄膜的制备方法有多种,大致分为物理法和化学法,可以满足不同的需求，由于化学稳定性好,良好的机电耦合性,工艺简单,这使得ZnO 薄膜在近年来受到越来越多的重视,成为化合物半导体领域中的一个研究热点,基于ZnO的器
热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响

随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。850℃热处理后的氧化钛薄膜折射率最高为2.34。适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率。
电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响

基片温度、真空度、沉积速率、其他工艺条件等都对电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响。
有机玻璃蒸发镀铝的实验结果及铝膜分析

增加铬过渡层的样品, 铝膜结合的非常牢固, 附着力得到很大的提高。采用电子束蒸发技术, 在使用合适的工艺参数下, 可以在有机玻璃表面制备附着力好、耐腐蚀的高反射铝膜。
有机玻璃基材表面电子束蒸镀铬-铝-二氧化硅薄膜实验材料与方法

采用电子束蒸镀的方法, 以有机玻璃为基材, 在其表面蒸镀铬过渡层, 再蒸镀铝, 最后蒸镀保护层二氧化硅。
对铝合金表面镀CrNx多层膜特性分析

利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度仪和腐蚀测量仪等测试手段分析薄膜的成分、结构、表面形貌、显微硬度、耐腐蚀性等特性。
2024铝合金表面镀CrNx多层膜的实验过程

在2024 铝合金上采用了二次浸锌的预处理方法, 以化学镀镍, 电镀铜作为过渡层的特殊工艺,再利用磁过滤脉冲偏压电弧离子镀技术制备了Zn/Ni/Cu/Cr/CrN 多层梯度膜。
溅射气压对磁控溅射成膜性能的影响

溅射气压( 工作气压)是一个很重要的参数, 它对溅射速率, 沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。实验得知溅射气压超过0.55Pa 后, 结合力和焊接合格率随着气压增大而迅速下降。因此, 认为0.5 Pa 左右的溅射气压是比
靶片间距对金属化成膜速率和薄膜性能的影响

靶片间距也是影响成膜速率的重要因素之一，靶材与基片之间必须保持一定的距离, 过大或过小镀膜的均匀性和致密性都较差。
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溅射功率对金属化薄膜性能的影响主要表现在对成膜速率、薄膜形貌、薄膜性能等方面的影响，结合实验，分别分析了各个影响。
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化学气相沉积(CVD)的概念与优点

化学气相淀积CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。