自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较

本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。

DyAl薄膜真空扩散渗及时效处理对烧结NdFeB磁性和耐蚀性的影响

DyAl薄膜扩散进入NdFeB表层基体中,提高了磁体的耐热性和耐蚀性。

木质文物真空冷冻干燥的实验研究

冷冻干燥是除去饱水文物中水分的有效方法。

CVD高纯钛成核热动力学及钛沉积速率分析

采用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。

磁控溅射TiAlN和WTiN薄膜的制备与摩擦性能研究

采用双靶反应磁控溅射的方法在40Cr基体上制备了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制备的SiO2膜层性能研究

采用IAD、IBS、MS等三种方法在CAB玻璃上制备了SiO2膜层,通过纳米压痕和划痕仪测量了膜层的纳米硬度和摩擦系数;利用傅里叶转换红外光谱仪对薄膜光谱性能进行了测量;利用SEM,观测膜层表面和断面形貌。

不同退火工艺对AZO膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术,制备了综合性能优良的AZO薄膜,通过不同退火工艺处理,研究了其对AZO薄膜的组织结构、电学性能及光学性能的影响。

掺钛类金刚石膜的制备及在手表外观件上的应用

为有效提高手表外观件表面的耐磨、耐蚀性能和装饰性能,采用阳极层流型气体离子源结合非平衡磁控溅射技术,制备了梯度过渡掺钛类金刚石(Ti-DLC)膜层,并对其在手表外观件上的应用进行研究。

CuInS2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究

以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。

TiO2纳米管上负载纳米铁的制备及其光电性能研究

AlN/WAlN/W太阳能选择性吸收多层薄膜研究

真空沉积掺杂制备PARYLENE功能薄膜研究

介绍了高分子材料PARYLENE的真空沉积机理及其优越性和不足。

高功率脉冲磁控溅射氩氮比对ZrN薄膜结构及性能的影响

采用高功率复合脉冲磁控溅射的方法(HPPMS)在不锈钢基体上制备ZrN薄膜,对比DCMS方法制备的ZrN薄膜,得出HPPMS制备的薄膜表面更平整光滑、致密,既无空洞、又无大颗粒等缺陷。

CdS薄膜的制备及其在CdTe电池中的应用

CSS方法制备的薄膜结晶较大,光学和电学性能好于CBD方法制备的薄膜,太阳能电池的光电转换效率达到10.9%.

半导体表面电学特性微观四点探针测试技术研究进展

综述了微观四点探针技术近年来的研究进展,主要包括测试理论、系统结构与探针制备。

改进2.5维多频大信号互作用程序模拟螺旋线行波管非线性交调互调特性

改进2.5维多频大信号互作用程序模拟螺旋线行波管非线性交调互调特性

非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究

以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu 互连的阻挡层, 采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm) / Ni-Al-N(10nm) /Si的异质结。

94 GHz TE02模回旋管Vlasov 模式变换器的设计与模拟

研究并设计了一个由Vlasov 阶梯型开口辐射器、椭圆面反射器和抛物面反射器组成的TE02模回旋管准光模式变换器。

后栅型场发射显示器窜压现象的研究

提出后栅型场发射显示器( FED) 测试过程中的窜压现象, 解释该现象的产生原因。

荫罩式PDP扫描电极和荫罩对阳极条纹的影响

本文采用基于动力学模型的OOPIC 仿真软件模拟具有不同扫描电极宽度和荫罩结构的荫罩式等离子显示器 ( PDP) 放电单元内的放电过程, 分析单元内的条纹数量、分布状态和介质层表面壁电荷分布情况, 研究扫描电极宽度和