基于InGaN量子点的GaN盖层生长条件优化

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)清华信息科学与技术国家实验室 作者:吕文彬

  多层InGaN 量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段,而GaN 盖层对于多层InGaN 量子点的外延生长有非常重要的影响,目前针对InGaN/GaN量子点结构中的GaN 盖层生长条件研究较少。

  本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长有GaN 盖层的InGaN 量子点,研究不同外延生长条件下的GaN 盖层表面形貌和光学性质。单层InGaN 量子点的密度2×109cm-2,高度5.1 nm,直径73.5 nm。在单层量子点上改变温度、载气等条件生长20 nm GaN 盖层,研究发现适当提高温度并改变载气,可以使GaN 盖层表面形貌更为平整,平整的GaN 层有利于多层InGaN 量子点外延生长的均一性。

  分析认为,减小氮气流量并增加氢气流量,反应物气体分子表面扩散长度增加,使GaN 表面粗糙度下降。温度升高,Ga 原子有足够的能量迁移至样品表面其它区域,则GaN 表面形貌更为平整。光致荧光(PL)谱表明改变外延生长条件有蓝移现象,证明在氢气作载气且提高温度的条件下,存在一定程度的InGaN 分解,因此温度升高幅度和氢气比例需要适中。

  基于InGaN量子点的GaN盖层生长条件优化为真空技术网首发,转载请以链接形式标明本文首发网址。

  http://www.chvacuum.com/application/sputter-coating/043087.html

  与 真空溅射镀膜 相关的文章请阅读:

  真空溅射镀膜http://www.chvacuum.com/application/sputter-coating/