PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向

2009-09-06 吉锐 暨南大学物理系

  采用硫酸盐电沉积法,利用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI 膜表面制备的Cu薄膜的晶面择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。结果表明,沉积层的晶面择优取向受Cu薄膜厚度和电流密度影响,电流密度较小(0.2A/dm2)和较大(3.5~5.5 A/dm2)时,电沉积Cu膜分别容易得到(111)和(220)晶面择优取向,较大电流密度有利于晶核的形成,薄膜表面平均颗粒尺寸较小。

  柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuitboard-FPCB) 因其轻、薄、柔韧性好而被广泛应用于电子产品中。柔性覆铜板(Flexible CopperClad Lamination FCCL)是生产柔性印刷电路板的基本材料, 按产品结构不同,FCCL分为二层FCCL(2L-FCCL)和三层FCCL(3L- FCCL)。由于取消中间的胶粘剂,除了电性能和机械力学性能基本相同外,2L-FCCL 比3L-FCCL 更薄,而且耐温性能更好、尺寸稳定性更好、耐锡焊性更强。

  目前2L-FCCL的生产工艺主要有溅镀法(Sputtering), 层压法(Lamination), 预铸覆涂法(Casting)及电沉积法(electro- deposition)。电沉积法具有独特的优势,如设备简单,可在常温下进行大面积制备,效率高等,因此成为大规模工业生产的常用方法。Cu膜的电沉积过程中,由于各个晶面的生长速度不同,将会出现晶面的择优取向现象,织构度受电沉积条件影响。因此,Cu薄膜微观结构的研究对2L- FCCL 的生产工艺的探索非常重要。

  本文采用磁控溅射———电沉积法在聚酰亚胺(PI)膜表面上制备Cu薄膜。采用直流磁控溅射法在PI膜表面上预镀Cu导电膜,为在PI膜表面上电沉积Cu膜提供导电层,然后通过电沉积方法,控制不同电沉积条件制备Cu薄膜,重点研究Cu薄膜的厚度和电流密度对Cu薄膜的晶面择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌的影响。

1、实验

1.1、样品制备

  采用直流磁控溅射法在PI衬底上溅镀一层250nm 厚的Cu导电膜层,为在绝缘的PI表面上进行电沉积提供导电膜层,然后采用直流电沉积法,控制电流密度和沉积时间制备Cu薄膜。电解液为硫酸盐溶液,CuSO4浓度220g/L,H2SO4浓度1cc/L,Cl-离子100ppm/L,添加剂CS980适量,电解液温度30℃,电极间距150mm。电流密度范围选用0.2~5.5A/dm ,通过控制沉积时间得到不同膜厚的Cu 薄膜,样品编号见表1,其中8# 样品为只进行溅镀未进行电镀的PI-Cu膜。

表1 实验条件及样品

实验条件及样品

1.2、样品测试

  采用日本理学Riguku-D/max-γB 型X 射线衍射仪(XRD)研究薄膜的晶体结构,X射线源采用Cu靶Kα 线(λ=0.15418 nm),用美国Ambios(XP-2)台阶仪测测试薄膜厚度,用广州半导体材料研究所SDY- 5 型双电测四探针测试仪测量薄膜的方块电阻,用荷兰Philips XL- 30FEG 型扫描电镜(SEM)表征样品表面形貌。

2、结果与讨论

2.1、Cu薄膜厚度对薄膜的方块电阻及电阻率的影响

  用双电四探针测试仪测量1#、2#、3# 和4#样品的方块电阻,其结果如图1所示,电流密度为3.5A/dm2时,随着薄膜厚度的增大,薄膜方块电阻逐渐变小,薄膜厚度小于2um时,薄膜方块电阻受厚度的影响比较大,薄膜厚度大于2um时,薄膜的方块电阻逐渐趋于稳定,方块电阻值小于0.02Ω。

  根据公式ρ=R□(d/F)计算薄膜电阻率ρ,式中R□为薄膜的方块电阻,d为薄膜厚度,F 为无量纲几何因子(F≈1),测量并计算得到样品1#、2#、3# 和4#的薄膜电阻率随薄膜厚度的变化关系图(图1)。薄膜厚度增大,薄膜电阻率变小,说明膜层电导性增强,当薄膜厚度小于2.0 um 时,薄膜电阻率受薄膜厚度的影响比较大,薄膜厚度大于2um时,薄膜的方块电阻率随厚度的变化比较缓慢,方块电阻率小于3.7uΩ·cm。

方块电阻和方块电阻率与薄膜厚度的关系

图1 方块电阻和方块电阻率与薄膜厚度的关系

2.2、Cu 薄膜厚度与晶面择优取向的关系

  电流密度为3.5A/dm2时,通过控制电沉积时间得到不同厚度的PI为衬底的Cu薄膜样品,XRD谱图如图2所示。

不同厚度Cu薄膜的XRD谱图

图2 不同厚度Cu薄膜的XRD谱图