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热处理对水雾化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯性能的影响
采用水雾化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉制备出了高频特性较好的磁粉芯。研究了去应力退火和磁场退火对磁粉芯磁性能的影响。
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铀表面非平衡磁控溅射离子镀Ti基薄膜的组织结构与腐蚀性能
金属铀的化学性质十分活泼,极易发生氧化腐蚀。本文采用磁过滤多弧离子镀在金属铀表面制备Ti过渡层,然后采用非平衡磁控溅射离子镀技术制备了Ti、TiN单层膜及Ti/TiN多层薄膜,以期改善基体的抗腐蚀性能。
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溶胶凝胶法制备Cu掺杂ZnO纳米薄膜及其表征
采用溶胶-凝胶法制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了Cu掺杂量对薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。
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脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。
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基于溶胶凝胶法的二氧化锡复合薄膜的制备及表征
以金属无机盐SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和无水乙醇为原料,用溶胶凝胶法制备了SnO2和CuO掺杂的CuO-SnO2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和电化学工作站对样品进行了表征。
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基于差异进化算法的椭偏测量数据反演
为解决椭偏法测量薄膜厚度和折射率实验数据处理较为复杂的问题,采用一种新的基于群体智能的优化算法—差异进化算法处理实验数据;以单层吸收薄膜的测量为例,利用该算法进行数据处理,
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SiO2/聚酰亚胺/SiO2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研
使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征
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p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用
首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。
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In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析
以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As
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H2O+O2气氛下电子束蒸镀制备MgO介质保护膜特性研究
采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体结构,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜对等离子屏放电特性的影响。
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真空碳热还原法炼铝的研究进展
综述了目前氧化铝碳热还原法及碳热还原- 卤化法炼铝的研究进展, 重点总结了上述炼铝法的机理及研究现状,讨论了金属铝的制备方法及其影响因素, 并指出了制约上述各炼铝法金属铝直收率提高的影响因素。
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