真空电子技术栏目简介

真空电子技术栏目主要讲述了真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件相关技术知识。

电真空器件清洁处理

电真空器件要求零件和部件表面洁净度高、没有油污。本文提出采用超声加去油溶液的方式去除制管过程中的油污,确定了电真空器件的清洗工艺,保证其清洁性。

二次金属化工艺技术探索
通过对烧结Ni的二次金属化工艺改进,发现掺杂Ag的复合烧结Ni效果更好。
成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响
本文通过研究不同成型工艺对薄型电容器电阻性能及内部显微结构的影响规律,为以后该类电容器的工业化生产奠定工艺基础。
有机载体与陶瓷金属化技术
本文叙述了陶瓷金属化技术是厚膜工艺中重要的一支,指出有机载体在陶瓷金属化中的重要地位。
真空电子器件用氧化铝陶瓷显微结构的研究
本文着重研究氧化铝陶瓷的显微结构,并讨论其显微结构与化学组成、工艺、性能的关系。
真空焊接模具用可加工陶瓷的研制
本文针对用户提出的新问题,分析氟金云母陶瓷产生鼓泡掉渣、真空放气的根本原因,并通过优化制备工艺,解决了鼓泡掉渣、真空放气问题。
真空器件中电极表面微结构对其二次电子发射性能的影响
本文对金属材料二次电子发射性能和用于行波管收集极的低二次电子发射系数电极材料研究进行了综述,并着重对电极材料表面尖锥阵列微结构层对二次电子发射性能的影响进行了细致的有限元计算分析。
Y2O3含量对热压烧结AlN-玻璃碳复相材料性能的影响
本文以AlN和玻璃碳为原料,以Y2O3作烧结助剂,采用热压烧结工艺制备了AlN-玻璃碳复相微波衰减材料,研究Y2O3含量对试样的烧结性能、显微结构、导热性能等的影响。
SiC-AlN复相陶瓷材料的无压烧结和导热性能
本文从材料制备角度出发,研究了AlN的添加量对于SiC-AlN复相陶瓷材料的烧结性能、晶相、微结构和导热性能的影响。
“开桶即用”特高温陶瓷金属化专用钨及其复合粉的开发
本文在此基础上,进行了“开桶即用”特高温陶瓷金属化专用钨及WY2O3复合粉的制备工艺探索及开发。
MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用
本文将首先简述MPCVD方法沉积金刚石膜的原理,进而介绍国内外MPCVD金刚石膜沉积技术的发展现状以及MPCVD方法在制备高品质金刚石膜材料方面的应用情况。
双光栅绕射辐射器件中模式竞争问题的研究
对双光栅绕射辐射器件谐振系统的模式竞争特性进行了分析,研究了工作模式的主要竞争模式及其抑制措施。
Q/V波段空间行波管及应用
本文介绍了国内外Q/V波段空间行波管研就进展及其应用需求情况,为后期的深入研究及应用提供了有利依据。
一种应用于Ka频段空间行波管放大器的宽带线性化器
本文介绍了一种采用传输拓扑的Ka频段宽带预失真线性化器的设计。
中科院电子所空间行波管仿真设计软件IESTWT
针对空间行波管的特点,开发了“电子所行波管仿真设计软件IESTWT”,以实现快速、可靠的综合指标优化能力。
电源纹波对行波管放大器性能影响的研究
定量地分析了行波管放大器中高压电源的纹波对行波管放大器输出性能产生的影响,根据分析制定合理的电源技术指标。通过有效的纹波抑制手段来提高行波管放大器的输出性能。