压电陶瓷阀特性在反应溅射AlN参数设置中的应用

本文主要讲述了压电陶瓷阀特性在反应溅射AlN参数设置中的应用。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化速率

本文描述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化速率实验情况。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的温度特性

本文讲述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的温度特性。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的迟滞特性

本文讲述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的迟滞特性。

压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性

在真空磁控溅射镀膜线上, 采用PCV25型压电陶瓷阀作为反应气体流量输出的驱动元件。研究了不同环境温度下压电阀偏置电压Vo对N2输出流量Q的影响。

基于多晶硅的曲面高反膜研究

本文提出并初步实现一种提高等离子显示面板(PDP) 出光率的多层干涉型反射膜。

工业微波磁控管开关电源系统设计

研究了磁控管驱动电源的设计方法。主电路采用谐振拓扑结构，易于实现软开关，利用升压高频变压器的漏感作为谐振电路的一部分，简化了主电路设计。

磁过滤阴极电弧技术沉积高sp3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究

通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳( ta-C) 薄膜sp3键含量影响的研究, 探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3 键ta-C 薄膜优化工艺条件。

硬质合金表面TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N梯度膜的微结构与力学性能

采用多弧离子镀技术, 使用Ti-Al-Zr合金靶和Cr单质靶, 在WC-8%CO硬质合金基体上制备了TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N多组元梯度膜。

晶体结构对Er/Yb共掺TiO2薄膜荧光光谱的影响

通过对不同退火温度下Er/Yb共掺TiO2薄膜的结构和光致荧光光谱(PL) 的分析, 研究了退火处理所导致的晶体结构变化对薄膜荧光光谱的影响。

涂层结构对Ti-Al-N涂层氧化行为的影响

低出口压力下喷嘴内部空化流动模拟分析

本文以真空喷射法制备聚合物薄膜为出发点, 利用Ansys Fluent 和Gambit 软件对低压力下平口喷嘴内的空化流动进行了模拟分析。

覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究

本文开展了覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究相关模拟研究。

休斯型耦合腔慢波结构正向设计初步研究

本文提出了一种耦合腔行波管慢波结构的快速设计方法, 可以初步确定满足要求的耦合腔慢波结构尺寸。

不同间隙条件下同轴型介质阻挡放电的模拟与实验研究

不同间隙条件下同轴型介质阻挡放电的模拟与实验研究主要目的是为了研究气体间隙大小对介质阻挡放电脱除NO 的影响。

Ka波段滤波器加载三间隙耦合腔输出回路的仿真和测试

本文采用基于微波网络理论的多间隙耦合腔输出回路间隙阻抗冷测方法, 对Ka 波段滤波器加载三间隙耦合腔输出回路进行冷参数测试, 得到该回路的间隙阻抗频率特性曲线与群时延曲线。

不同本底压力下离子推力器电子反流失效的数值模拟

针对20cm氙离子推力器具体设计和工作参数, 采用二维轴对称模型的网格质点和蒙特卡罗碰撞方法模拟计算了氙离子和氙原子在离子推力器栅极系统中的运动。

SiO2对氟磷酸钙真空碳热还原反应的影响

Al2O3-Cr多层中高温选择吸收薄膜的研究

本文提出基于Al2O3 介质和金属Cr 的多层结构的选择吸收膜系, 首先采用电子束热蒸发在硅基底上沉积了单层Cr 薄膜, 通过椭偏仪测试并分析了Cr 薄膜的光学常数。

多层等离子体蚀刻技术的研究

提出了一种新的干法刻蚀技术-多层等离子体蚀刻, 充分利用腔体的空间布局, 布置多层电极, 并采用分层送气装置输送放电气体, 实现多层同时进行刻蚀, 可成倍提高产能。