影响真空间隙的电击穿的因素

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)真空技术网整理 作者:鬼马

  真空击穿是一个综合的复杂的物理过程,主要因素有:真空度,电极材料,电极距离,压力的影响,老练作用,开断电流的大小,操作条件的影响等。

  真空间隙的电击穿有两方面因素:一是场发射,一是微粒撞击。对于小间隙场致发射作用较大,大间隙中微粒撞击可能性较多。

  1).场致发射--经过机械磨光和洗净的电极两面,微观上仍然存在凹凸不平,存在许多微米级的尖峰突出物,尖峰处的局部电场可能增加上百倍,会发射电子流。如果电极表面有杂质或氧化物存在,电极表面的逸出功会降低,场致发射更易产生。尖峰发射的电子流虽不大,但因其面积小,电流密度却很大,会使局部发热,不仅电子发射增强,还可能产生蒸发、熔化,释放出金属蒸气,金属原子又与发射电子碰撞造成游离,出现击穿。

  2). 微粒撞击--电极表面总是存在一些金属微粒,微粒在电场作用下携带电荷离开电极,加速撞击对方电极,由动能转为热能,引起局部加热、汽化,释放大量金属蒸气,形成金属云,导致间隙击穿。

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