真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜

2013-05-05 冯松 内蒙古大学物理科学与技术学院

  采用真空蒸发镀膜技术在玻璃衬底上制备了Sb 掺杂的CdTe 薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb 掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大大降低了薄膜的电阻率。

  CdTe 是典型的Ⅱ - Ⅵ族化合物直接禁带半导体,能隙宽度为1.45 eV,具有良好的光电学特性,因此CdTe 近年来被人们广泛的应用于薄膜太阳电池中。目前CdTe 薄膜太阳能电池在实验室中获得的最高光电转换效率是17.3%。但这与CdTe 薄膜太阳能电池的理论效率29%仍然相差很远,因此真空技术网(http://www.chvacuum.com/)认为利用掺杂特性改变薄膜的晶体学和光电学性质,进一步提高CdTe 薄膜太阳能电池的转换效率具有一定的现实意义。

  本文利用真空蒸发法制备了Sb 掺杂的CdTe 薄膜,研究了掺杂量、退火温度对薄膜的形貌、结构及光电学性质的影响,为进一步提高CdTe 薄膜电池的转换效率进行了一些探索。

1、实验

1.1、薄膜制备

  我们采用真空蒸发法制备不同Sb 掺杂比的CdTe 薄膜,将清洗烘干好的玻璃片放置于真空室内; 把高纯CdTe 与Sb 按不同原子比(A=Sb:CdTe=0, 0.008, 0.03, 0.07) 充分混合研磨后放置于钼舟中;将蒸发室抽真空至真空度10-4 Pa 以上,调整蒸发电流、蒸发时间至合适值,改变衬底温度制备出不同Sb 掺杂比例的CdTe 薄膜,薄膜厚度均为1.2 μm。将制备好的薄膜在氩气的保护下进行不同温度的退火处理。

1.2、性能测试

  用X 射线衍射仪对薄膜晶体结构进行测试分析,紫外可见分光光度计、霍尔效应测试仪和原子力显微镜对薄膜的导电类型、光、电学性能及表面形貌特性进行了测试。

2、结果与讨论

2.1、薄膜的表面形貌特征

  首先对掺杂前后CdTe 薄膜的表面形貌进行了测试,如图1 所示,由图可以看出纯CdTe 薄膜表面十分不均匀,晶粒大小不一而且有大颗粒析出,其平均粗糙度为Sa=8.03 nm。当掺杂浓度为Sb:CdTe=0.03 时可以明显的看出CdTe 薄膜表面变得更加致密,晶粒大小也更加均匀,其平均粗糙度下降为Sa=5.24 nm。继续增加Sb 的掺入量以后(Sb:CdTe=0.07),CdTe 颗粒界线不明显,晶界模糊,表而较平整致密,而平均粗糙度Sa 则增大到了8.62nm。这表明适当的Sb 掺杂可以改善薄膜表面的致密度和均匀度。

Sb 掺杂CdTe 薄膜的AFM图

图1 Sb 掺杂CdTe 薄膜的AFM图

2.2、薄膜的物相和结构

  为了分析掺杂量对CdTe 薄膜物相结构的影响,我们对掺杂前后的CdTe 薄膜进行了XRD 测试,图2 为其结果(衬底温度为150℃,退火温度为400℃)。由图2 可以看出未掺杂和不同掺杂浓度样品的XRD 的择优取向均为(111)晶向,其三强峰分别对应(111)、(220)、(311) 晶向, 与标准PDF65- 8879 卡相吻合,薄膜仍为立方闪锌矿结构。图谱中均未出现Sb 单质物相。随着掺杂浓度增加,薄膜的各个晶向衍射峰强度均有所增加,当掺杂浓度为Sb:CdTe=1:0.03 时衍射峰峰强最强,继续增大掺杂比率样品的(111)晶向峰强明显降低,(220)方向峰强开始增大。比较不同Sb 含量的衍射曲线可知:最佳掺杂比率为Sb:CdTe=0.03,在此条件下薄膜的结晶性能得到了明显的改善。

Sb 掺杂的CdTe 薄膜的XRD 图

图2 Sb 掺杂的CdTe 薄膜的XRD 图

  图3 是CdTe 薄膜在不同热处理温度下的XRD 图,热处理时间为20 min,掺杂浓度为CdTe:Sb=1:0.03、衬底温度为150℃。由图可以看出当退火温度为350℃时XRD 的择优取向为(111)晶向,在(220)、(311)晶向上的峰强很弱,当温度升高到400℃时薄膜的三强峰均有所增强,而且其它晶向上也开始出现小峰。当温度进一步升高到425℃时,CdTe 薄膜的三强峰强度变化不大,而且热处理温度越高越容易引进更多缺陷。故综合考虑认为: 掺杂后薄膜的最佳热处理条件为T=400℃,t=20 min。

不同热处理条件下CdTe 薄膜的XRD 图

图3 不同热处理条件下CdTe 薄膜的XRD 图

  由XRD 图谱对样品的晶格常数和晶粒尺寸进行了计算,如表1 所示。结果发现掺Sb 使CdTe 薄膜的晶格常数有所减小, 这可能是因为Sb3+ 的离子半径小于Cd2+的离子半径,所以少量Sb3+ 的替位使CdTe 薄膜的晶格常数略有减小,但是变化的幅度不是很大,因为CdTe 的自补偿效应很难得到高掺杂的CdTe薄膜,故其主要成分仍然是CdTe,所以与纯CdTe薄膜的晶格常数接近。通过谢乐公式计算了样品晶粒尺寸,计算结果表明,掺杂Sb 使CdTe 的晶粒尺寸有比较明显的增大。

3、结论

  (1)采用真空蒸发技术制备出了Sb 掺杂的CdTe 薄膜,薄膜为立方闪锌矿结构,沿(111)晶相择优生长。掺杂Sb 促进了薄膜的结晶,使晶粒尺寸有所增长。

  (2) 掺杂Sb 后,薄膜的表面粗糙度有所减小,薄膜表面变得更加致密,晶粒大小也更加均匀,当掺杂浓度过大时薄膜粗糙度有所增大。

  (3)掺杂Sb 增强了CdTe 薄膜的光吸收特性,光学带隙明显减小、吸收限红移,增宽CdTe 薄膜的光吸收范围。

  (4)掺杂Sb 使CdTe 薄膜的载流子浓度有所增加,薄膜的电阻率明显减小,而且掺杂前后CdTe薄膜的导电类型均为P 型。