10~30 keV二次电子发射系数的表达式

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)南京信息工程大学物理与光电工程学院 作者:谢爱根

  根据二次电子发射的主要物理过程和特性, 推导出最大二次电子发射系数(Dm) 的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(DPE) 的表达式。根据DPE、Dm 和高能二次电子发射系数(D) 之间的关系, 推导出以Dm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次(n) 和原电子入射能量为变量D的通式。用ESTAR 程序计算出一些材料的10~ 30 keV 能量范围内的参数A 和n。用该通式计算出D并与相应的实验值进行了比较, 结果表明, 成功地推导出金属、半金属和元素半导体10~ 30 keV 的D 通式。

  在科研过程中, 很多科技工作者要使用二次电子发射系数(D), 因此, D的表达式是一个重要的研究课题, 很多科技工作者已经研究了D的表达式。本文根据二次电子发射的主要物理过程和特性, 推导出最大二次电子发射系数(Dm) 的表达式, 还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(DPE) 的表达式。根据DPE、Dm 和高能D之间的关系, 推导出以Dm、原子序数(z ) 、原子质量数(AA) 、物质密度(Q) 、背散射系数(r) 、高能背散射系数(G) 、参数A 、能量幂次(n) 和原电子入射能量(Wp0) 为变量的金属、半金属和元素半导体的高能( 本文的高能指的是Wp0大于10 keV) D的通式。到目前为止, 科技工作者测量出的高能D几乎在10~ 30 keV 的能量范围内, 因此本文只能用10~ 30 keV 的D实验值来证明本文推导的高能D通式; 本文用ESTAR 程序计算出一些材料的10~ 30 keV 能量范围内的参数A 和n, 并用该通式计算出10~ 30 keV 的D并与相应的实验值进行了比较, 结果表明, 成功地推导并用实验数据验证了金属、半金属和元素半导体10~30 keV 的D通式。

  根据二次电子发射系数一些参数的关系和二次电子发射的主要物理过程, 推导并用实验数据验证了金属、半金属和元素半导体10~ 30 keV 二次电子发射系数的通式。根据式(16) , 可以得出: 对于同种金属、半金属和元素半导体, 金属、半金属和元素半导体的10~ 30 keV 二次电子发射系数只与最大二次电子发射系数成正比。

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