金属/半导体肖特基接触模型研究进展

来源:真空技术网(www.chvacuum.com)天津工程师范大学电子工程学院 作者:王光伟

  在分析理想金属/ 半导体肖特基接触的基础上, 概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/ 半导体间的界面层使得肖特基势垒高度( SBH) 对功函数的依赖减弱, 也导致SBH 与外加偏压有关。研究证实, 多种因素, 如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等, 都会造成SBH 的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在, 并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。

  金属和半导体接触时, 由于两者功函数不同, 电荷越过金属/半导体(MS) 界面迁移, 产生界面电场,半导体能带弯曲, 形成肖特基势垒, 这就是肖特基接触。半个多世纪以来至今, 这个课题一直是引人关注的。首先, 肖特基接触是一些较新器件( 如金属/有机肖特基二极管MO-SBD 等) 的基础; 其次, 一些常规器件, 如肖特基势垒栅场效应管( MESFET) 等,MS 肖特基接触是不可缺少的; 再次, 人们对于探讨与肖特基接触相关的新颖课题( 如基于宽禁带半导体的SBD、肖特基势垒MOSFET 等) 抱有浓厚的兴趣。

3 、结束语

  金属/ 半导体存在功函差( 即费米能级不同) 是理想肖特基势垒的内因。金属/半导体间的界面层使得SBH 对功函差的依赖变弱。这可部分由费米能级 钉扎! 效应来解释。无论何种MS 界面, SBH空间不均匀分布是普遍存在的特征。理想因子与温度及偏压有关就是这种不均匀性的体现。MS 界面的晶向、原子结构、晶格不完整性以及化学键等都是造成SBH 不均匀分布的因素。这种不均匀分布对肖特基结的电学特性有直接影响。对MS 界面微观结构的深入研究是弄清SBH 不均匀的主要途径之一。

  金属/半导体肖特基接触模型研究进展为真空技术网首发,转载请以链接形式标明本文首发网址。

  http://www.chvacuum.com/application/else/042424.html

  与 真空应用 肖特基接触 肖特基势垒高度 理想因子 非单晶界面 势垒高度不均匀 相关的文章请阅读:

  真空应用http://www.chvacuum.com/application/else/