-
CVD法制备单根磷掺杂P型ZnO纳米线
通过CVD 方法制备得到了磷掺杂的 ZnO 纳米线,用扫描电子显微镜(SEM)、X 射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼(Raman)等多种表征手段对制备得到的样品进行了表征。
-
单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能
用一种简单的气相合成方法成功地制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带 (波长从500~700 nm),发光峰位于567 nm。
-
DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究
采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD) 法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。
-
磁控溅射制备(Ti,Al,Cr)N硬质薄膜及其力学性能的研究
采用超高真空反应磁控共溅射在不锈钢基体上成功制备TiAlCrN薄膜。通过改变Cr靶溅射功率得到不同表面形貌、不同力学性能的TiAlCrN薄膜。
-
纳米ZnO/CdSe@ZnS量子点自组装荧光薄膜的制备
采用GDARE技术制备了ZnO纳米颗粒膜,XRD分析表明晶粒生长主要沿着(002)晶面,薄膜呈现为有一定择优取向生长的多晶结构,AFM图像观察到其平均粒径为50–80nm。
-
磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究
利用有限元软件ANSYS和数值分析软件MATLAB仿真了磁控溅射中电磁场的分布,结合受力分析和运动理论得到了粒子在空间区域内的运动以及它们在靶面附近的位置分布特点。
-
Cr/CrN多层膜的结构及腐蚀性能研究
利用电弧离子镀设备,在45#钢基体上制备了两种调制比的Cr/CrN多层膜。采用X 射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)、M273A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、横截面元素分布、模拟海
-
Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS2薄膜性能影响
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。
热点推荐
热点排行
- 1等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术基础
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜
- 2真空镀铝工艺
真空镀铝是在真空状态下,将铝金属加热熔融至蒸发,铝原子凝结在
- 3氧化锌(ZnO)薄膜的性能分析
从ZnO薄膜的晶体结构、光学性能、电学性能、光电特性、气敏特性
- 4RF-CCP(电容耦合) 和RF-ICP(感应耦合)离子源的结
电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)
- 5电子回旋共振(ECR)离子源的工作原理
ECR离子源微波能量通过微波输入窗(由陶瓷或石英制成) 经波导或天
- 6六种石墨烯的制备方法介绍
本文介绍了6种石墨烯材料的制备方法:机械剥离法、化学氧化法、
- 7化学气相沉积(CVD)的概念与优点
化学气相淀积CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂
- 8薄膜厚度对TGZO透明导电薄膜光电性能的影响
利用直流磁控溅射法, 在室温水冷玻璃衬底上成功制备出了可见光透
- 9反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法
反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分
- 10多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1- xAlx)Se2薄
用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退