真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法
反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜,可以在溅射纯金属或合金靶材时,通入一定的反应气体,如氧气、氮气,反应沉积化合物薄膜,这就称这反应磁控溅射。
非平衡磁控溅射的结构和运用
非平衡磁控溅射系统有两种结构,一种是其芯部磁场强度比外环高,磁力线没有闭合。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度,磁力线没有完全形成闭合回路。
平衡磁控溅射的概念和优缺点
平衡磁控溅射即传统的磁控溅射,是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈,在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。
碳化钒薄膜的力学性能分析
利用微力学探针表征碳化钒薄膜力学性能,其硬度和弹性模量分别达到35.5GPa 和358GPa。随着C2H2 分压的提高,薄膜形成六方结构的γ-VC ,并逐渐产生非晶碳相,硬度和弹性模量随之降低。
碳化钒薄膜的成分与微结构分析
利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力学探针等表征在Ar、C2H2 混合气氛中通过反应磁控溅射法制备了一系列不同碳含量的碳化钒薄膜的微结构和力学性能。
反应溅射技术制备碳化钒薄膜的实验
采用在Ar2C2H2混合气体中的射频反应磁控溅射技术可以方便地合成碳化钒薄膜。但是,碳化钒薄膜的化学成分、相组成、微结构以及相应的力学性能对C2H2 分压非常敏感。
衬底温度对ZAO薄膜沉积速率的影响
ZAO薄膜沉积速率随衬底温度的变化不大。
溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响
ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
反应气压对ZAO薄膜沉积速率的影响
在反应气压增大的情况下, ZAO薄膜的沉积速率不断上升, 达到最大值后, 又随气压的增大不断下降。
O2气流量对ZAO薄膜沉积速率的影响
ZAO薄膜沉积速率随O2气流量的增加显著降低, 靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量
直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
ITO薄膜的透射谱的建模及解谱
用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分别在100、200、300 和400 ℃下退火1h.测量了退火前后几个样品的XRD 和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱.
膜基结合力的划痕法实验分析
在瑞士CSM仪器的微划痕测试仪对真空多弧离子镀设备制备的WC2Co/TiN膜基结合力进行划痕实验,系统地介绍了如何利用MST划痕仪所测的声发射数据、摩擦力数据及光学、电子扫描划痕形貌来综合评定膜基结合力,并用WS292 划痕仪对评定结果进行验证。
划痕法评定膜基结合力的实验方法
划痕法是表征膜基结合力最广泛、也是研究最多的一种方法。划痕法表征膜基结合力的关键是如何判定临界载荷。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术基础
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。