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反应溅射AlN 薄膜的动态特性
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.
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磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验
磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优
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磁控溅射靶的磁场的优化设计
采用的是磁路叠加原理来改进磁控溅射靶的磁场,最后形成的水平磁场是接近于矩形波的双峰形式。这样靶面的磁力线和磁场强度的水平分量更加平滑, 能够有效地增加靶面跑道的宽度, 实现靶面均匀刻蚀。
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直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响
Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大; 随着溅射气压的增大, 沉积速率不断增大, 在0.4 Pa 时达到最大值后, 沉积速率随溅射气压的继续增大而减小。
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溅射气压对磁控溅射成膜性能的影响
溅射气压( 工作气压)是一个很重要的参数, 它对溅射速率, 沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。实验得知溅射气压超过0.55Pa 后, 结合力和焊接合格率随着气压增大而迅速下降。因此, 认为0.5 Pa 左右的溅射气压是比
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