真空溅射镀膜栏目简介

真空溅射镀膜栏目主要讲述了真空溅射镀膜相关溅射镀膜原理、溅射沉积成膜技术、磁控溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子溅射镀膜等方面的知识。

磁控溅射靶磁场的有限元模拟分析

本文应用COMSOL软件对JGP450C型磁控溅射镀膜机的圆平面靶表面磁感应强度进行了模拟分析计算,得到了靶面水平磁感应强度较强、分布较均匀的磁铁结构参数。

一种崭新的镀膜技术——等离子体束溅射
详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺。此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点, 特别在多元合金以及磁性薄膜的制备, 具有其他手段无可比拟的优点。
新型等离子体束溅射镀膜机
本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容。该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中,克服了磁控溅射的靶材利用率低及难以沉积铁磁性材料的缺点。
PET纤维基AZO透明导电薄膜溅射工艺参数的优化
室温下,结合正交实验表,用射频磁控溅射在涤纶(PET)非织造布基材上生长AZO(Al2O3:ZnO)纳米结构薄膜。采用四探针测量仪测试AZO薄膜的方块电阻,用原子力显微镜(AFM)分析薄膜微结构;通过正交分析法对实验L9(33)AZO薄膜的性能指标进行分析。
负偏压对磁控溅射氧化铝薄膜的影响
适当的负偏压影响磁控溅射Al2O3薄膜的性能,有利于获得高阻隔性的包装材料。
ITO薄膜的磁控溅射关键工艺参数的优化
通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO 薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295 ℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8 %即主要工艺参数皆位于最佳范围时,在厚度为5mm的普通浮法玻璃基底
JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备
JB/T8945—1999真空溅射镀膜设备标准适用于压力在1×10-4~5×10-3Pa范围的真空贱射镀膜设备,规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数,技术要求,试验方法,检验规则,标志、包装、运输和贮存等。
脉冲磁控溅射的工作原理和工作方式
脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。
反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法
反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜,可以在溅射纯金属或合金靶材时,通入一定的反应气体,如氧气、氮气,反应沉积化合物薄膜,这就称这反应磁控溅射。
非平衡磁控溅射的结构和运用
非平衡磁控溅射系统有两种结构,一种是其芯部磁场强度比外环高,磁力线没有闭合。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度,磁力线没有完全形成闭合回路。
平衡磁控溅射的概念和优缺点
平衡磁控溅射即传统的磁控溅射,是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈,在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。
反应溅射技术制备碳化钒薄膜的实验
采用在Ar2C2H2混合气体中的射频反应磁控溅射技术可以方便地合成碳化钒薄膜。但是,碳化钒薄膜的化学成分、相组成、微结构以及相应的力学性能对C2H2 分压非常敏感。
溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响
ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量
直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
直流溅射并结合热处理工艺制备氧化镍薄膜
采用直流溅射并结合热处理工艺在400~500℃退火温度下制备了表面光滑、结构致密、无微孔和裂缝的纳米晶NiO 薄膜.
反应溅射AlN 薄膜的动态特性
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.