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推荐接触式真空吸取技术的研究现状

真空吸取的执行器为真空吸盘，采用负压抽吸等方法在吸盘内产生一定的真空度，从而吸着工件。本文简单阐述接触式真空吸取技术的研究现状。

磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能

本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
红外低辐射膜的典型膜层结构

低辐射薄膜的中间金属层起着反射红外线的重要作用,一般选用银,因它在对红外光具有较高反射率的同时,对可见光还具有较高的透射率,按银膜的数量可分为单银膜、双银膜和多银膜,每层银膜厚度一般在10~18nm之间。
红外低辐射薄膜的节能原理

膜层的电导率σ值越大, 它对入射光的反射率越大; 电磁辐射的频率υ越小(或波长越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 导电薄膜对波长较大的红外线具有高反射性。
射频识别系统在冻干工艺的应用

按照冻干工艺的需要,在射频卡中写入物料的种类、形状、分切方式、冻干层厚度、面积、加热方式、搁板层数等相关参数,再把射频卡贴在需要冻干的物料上。当贴有射频卡的物料进入安装在冻干机上的读写器的工作范围,读写
射频识别系统RFID的工作原理

射频识别( Radio Frequency Identification) 是一种非接触的自动识别技术。射频识别系统包括读写器、电子标签(射频卡)和控制单元三部分。
ZnO薄膜的器件应用

ZnO薄膜的主要应用有用作光伏电池的电极和窗口材料、在发光器件的应用、ZnO基紫外探测器、作为缓冲层/衬底、压敏器件、气敏传感器、压电器件。
ZnO薄膜的主要性质

本文讲述了ZnO薄膜的晶体结构、光学性质、电学性质等性质。
化学法制备ZnO薄膜的方法

PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、喷雾热解法(Spray Pyrolysis)、溶胶- 凝胶法是目前主要的一些化学制备ZnO薄膜的方法。
物理法制备ZnO薄膜的方法

物理法制备ZnO薄膜的的主要方法有溅射法(Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子层外延生长法(ALE)等。
宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺

ZnO薄膜的制备方法有多种,大致分为物理法和化学法,可以满足不同的需求，由于化学稳定性好,良好的机电耦合性,工艺简单,这使得ZnO 薄膜在近年来受到越来越多的重视,成为化合物半导体领域中的一个研究热点,基于ZnO的器
热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响

随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。850℃热处理后的氧化钛薄膜折射率最高为2.34。适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率。
电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响

基片温度、真空度、沉积速率、其他工艺条件等都对电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响。
有机玻璃蒸发镀铝的实验结果及铝膜分析

增加铬过渡层的样品, 铝膜结合的非常牢固, 附着力得到很大的提高。采用电子束蒸发技术, 在使用合适的工艺参数下, 可以在有机玻璃表面制备附着力好、耐腐蚀的高反射铝膜。
有机玻璃基材表面电子束蒸镀铬-铝-二氧化硅薄膜实验材料与方法

采用电子束蒸镀的方法, 以有机玻璃为基材, 在其表面蒸镀铬过渡层, 再蒸镀铝, 最后蒸镀保护层二氧化硅。
高真空磁场热处理装置的结构、性能特点

磁场热处理装置包括直流磁场装置、加热系统、真空系统。
高真空磁场热处理装置的组成及主要技术性能参数

高真空磁场热处理装置主要由直流磁场发生装置、真空系统和热处理炉三部分组成。
铝箔真空退火炉设备的组成及结构特点

铝箔用外热式真空炉退火的特点, 指出了在保护气氛下真空退火比其他热处理方法具有明显的优势。同时, 描述了设备各组成部分, 主要技术参数及结构特点等。并通过设备测试及厂家多年实际应用, 证明设备的可靠性, 为以后