石墨烯的特性

本文讲述了石墨烯与众不同的特性。

石墨烯——碳家族中又一种性质独特的新材料

“石墨烯——碳家族中又一种性质独特的新材料”的文章，对石墨烯的结构和发展、理论研究价值、应用前景等进行了介绍。

外延石墨烯边界山脊结构形成机制的研究

本论文在超高真空分子束外延(MBE)系统中对单晶6H-SiC 逐步升温退火，在1250℃~1350℃温度范围内(6 3 ´6 3)R30°重构表面外延生长出高质量的单晶石墨烯。

单晶Ir(111)上的石墨烯的生长,结构及硅插层

金属酞菁分子与金属表面外延石墨烯之间的相互作用

通过低温扫描隧道显微镜研究了四种金属酞菁分子在钌单晶和铂单晶表面外延石墨烯上的的自组装行为。

并五苯分子在石墨烯/钌表面生长行为的研究

钌表面外延生长的石墨烯的摩尔斑点结构显著调制了并五苯分子的吸附生长行为。

C60分子在石墨烯/钌表面生长行为的研究

未充分退火的石墨烯/钌样品表面有着各种各样的缺陷，在这样的基底上C60 分子依然排列成为周期性密堆的结构而不受样品表面台阶、缺陷以及起伏的影响。

石墨烯在表面传导场发射(SCFE)阴极上的应用研究

本文中我们研究了CNTs/Graphene 的场发射特性，将石墨烯应用于一种表面传导型FE 中，研究了Graphene 提高器件发射特性的机制，石墨烯对器件发射效率的影响等。

平行排列的直立少层石墨烯的可控制备研究

直立少层石墨烯由于具有原子级尖锐的边缘，因而场发射增强因子较大，并具有优异的电子传输特性和二维的导热区域，使其在场发射器件上拥有很好的应用潜力。

六种石墨烯的制备方法介绍

本文介绍了6种石墨烯材料的制备方法：机械剥离法、化学氧化法、晶体外延生长法、化学气相沉积法、有机合成法和碳纳米管剥离法等。

化学气相沉积法制备高质量石墨烯

利用液态铜的良好流动性及均匀性等特点消除了所得石墨烯的晶界，制备出了高质量大面积的单层石墨烯薄膜。

化学气相沉积制备毫米量级的单晶石墨烯

石墨烯的发现，为开发基于新原理的纳电子器件提供了材料和技术上的可能性。

石墨烯与碳纳米管混合物的场发射性能研究

随着各种碳纳米材料的发现，包含了一维结构和二维结构，其中的典型代表就是碳纳米管和石墨烯，使得场发射材料再次成为新的研究热点。

大面积石墨烯二维晶体可控生长及其器件应用

石墨烯是理想的二维晶体，具有超高的载流子迁移率、电导率、热导率、透光性、强度等优点，在高速计算芯片、复合材料、平板显示、储能元件呈现出广阔的应用前景。