真空溅射镀膜

真空溅射镀膜栏目主要讲述了真空溅射镀膜相关溅射镀膜原理、溅射沉积成膜技术、磁控溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子溅射镀膜等方面的知识。

溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响
ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量
直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
直流溅射并结合热处理工艺制备氧化镍薄膜
采用直流溅射并结合热处理工艺在400~500℃退火温度下制备了表面光滑、结构致密、无微孔和裂缝的纳米晶NiO 薄膜.
反应溅射AlN 薄膜的动态特性
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.
磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验
磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优化设计方案。并对改进的磁场结构和一般的磁场结构进行
磁控溅射靶的磁场的优化设计
采用的是磁路叠加原理来改进磁控溅射靶的磁场,最后形成的水平磁场是接近于矩形波的双峰形式。这样靶面的磁力线和磁场强度的水平分量更加平滑, 能够有效地增加靶面跑道的宽度, 实现靶面均匀刻蚀。
磁控溅射靶的磁场排布分析
在平面磁控溅射靶中, 磁钢放置于靶材的后面, 穿过靶材表面的磁力线在靶材表面形成磁场。其中平行于靶面的磁场B 和垂直靶表面的电场E,形成平行于靶面的漂移场E×B。
溅射铝膜的结构与表面形态分析
X射线衍射图谱表明, 磁控溅射沉积的Al膜为多晶状态。用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察, 溅射气压为0.4Pa, 溅射功率为2600W时制备的Al膜较均匀致密。
直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响
Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大; 随着溅射气压的增大, 沉积速率不断增大, 在0.4 Pa 时达到最大值后, 沉积速率随溅射气压的继续增大而减小。
直流磁控溅射法在玻璃基片上制备铝薄膜的工艺研究
采用直流磁控溅射方法, 以高纯Al为靶材, 高纯Ar为溅射气体, 在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜。
磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能
本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
溅射气压对磁控溅射成膜性能的影响
溅射气压( 工作气压)是一个很重要的参数, 它对溅射速率, 沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。实验得知溅射气压超过0.55Pa 后, 结合力和焊接合格率随着气压增大而迅速下降。因此, 认为0.5 Pa 左右的溅射气压是比较合适的。
溅射功率对金属化薄膜性能的影响分析
溅射功率对金属化薄膜性能的影响主要表现在对成膜速率、薄膜形貌、薄膜性能等方面的影响,结合实验,分别分析了各个影响。
直流磁控溅射辉光等离子体的Langmuir静电探针诊断
电子温度随着离靶面距离增大而递减;电子密度在径向和轴向均存在波动;电子能量主要分布在0 eV~5 eV范围内,高能电子占比例极少.
非平衡磁控溅射沉积TiN/Ti-O复合薄膜机械性能研究
利用非平衡磁控溅射设备,采用四种不同的TiN到Ti-O的过渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基体上制备了TiN/Ti-O薄膜.结果表明,在钛合金表面制备TiN薄膜后,逐渐降低N2流量至0 sccm,沉积一层Ti膜,再用逐渐通入O2制备Ti-O薄膜的工艺制备的TiN/Ti-N/Ti/Ti-O薄膜具有较好的力学性能.