真空镀膜

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法和应用
真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法主要可分为物理气相沉积和等离子体增强化学气相沉积。物理气相沉积法可分为蒸镀法和溅射法。化学气相沉积主要是PVDC。
在铜和硬质合金上金刚石膜的沉积研究
铜上金刚石薄膜的制备有很大的困难,主要原因在于铜与金刚石之间没有化学反应,无相应的碳化物生成;同时铜和金刚石的热膨胀系数的差异过大。本文首先研究了高纯铜片上金刚石的形核,采用亚微米金刚石涂层显著地增强了金刚石在铜上的形核密度,并且通过氢等离子体的处理
真空镀铝工艺
真空镀铝是在真空状态下,将铝金属加热熔融至蒸发,铝原子凝结在高分子材料表面,形成极薄的铝层。真空镀铝常见的问题有:薄膜表面出现褐色条纹、镀铝时薄膜出现孔洞、镀铝时薄膜出现拉伸现象。本文给出了一些解决方案。
真空镀膜机膜厚监控的方法
真空镀膜机的操作系统中最关键最直接的部份膜厚监控系统目前主要有微电脑数控式、水晶振动子式、光电式以及正在发展的数控与光电相结合式几种方式。
化学气相沉积技术在冷拔模具上的应用
化学气相沉积(CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。上海冷拉型钢厂将这项技术应用于模具,取得显著效益。
真空在镀膜工业中的应用
真空镀膜所采用的方法主要有蒸发镀、溅射镀、离子镀、束流沉积镀以及分子束外延等。此外还有化学气相沉积法。
等离子体辅助ITO薄膜低温生长
等离子辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上制备出电阻率为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
V2O5复合薄膜材料的制备
V2O5复合气凝胶薄膜材料的制备过程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、异丙醇(IP)和SWENTs为原料,采用溶胶-凝胶法、提拉法镀膜和溶剂替换的方法来制备.
电镀污水中有机污染物去除工艺
电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面:镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法:生化法、微波化学法和物化法。
靶电流对电弧离子镀TiAlN膜层组织及成分的影响
在不同基材上沉积的膜层表面形貌存在差异;两种工艺在不同的基材上沉积的膜层中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明显的观察到界面处存在这三种元素的互扩散,使膜层与基体间形成冶金结合.
电弧离子镀TiAlN涂层的热疲劳及抗氧化性能
采用独立的高纯钛、铝靶,在TC4钛合金基材表面以电弧离子镀工艺沉积制备了TiAIN涂层.结果表明,TRAIN涂层表现出很好的热疲劳抗力,显著改善了钛合金的高温抗氧化性.
TiC薄膜的性能研究
采用磁过滤直流电弧离子镀法在不同的CH4分压下制备了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相组成和微结构,用MCMS-1摩擦磨损测试仪,研究了不同CH4分压对薄膜摩擦性能的影响,采用DURAMIN-10型丹麦全自动显微硬度仪,研究不同CH4分压对薄膜硬度的影响.
生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响
通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.
非平衡磁控溅射沉积TiN/Ti-O复合薄膜机械性能研究
利用非平衡磁控溅射设备,采用四种不同的TiN到Ti-O的过渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基体上制备了TiN/Ti-O薄膜.结果表明,在钛合金表面制备TiN薄膜后,逐渐降低N2流量至0 sccm,沉积一层Ti膜,再用逐渐通入O2制备Ti-O薄膜的工艺制备的TiN/Ti-N/Ti/Ti-O薄膜具有较好的力学性能.
工艺参数和热处理温度对ZrW2O8薄膜制备的影响
随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW20s薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大;在740℃热处理3 n血后得到膜层颗粒呈短棒状的三方相ZrW2O8薄膜,在1200℃