真空镀膜栏目简介

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

真空卷绕镀膜技术研究进展

本文从系统结构、参数控制和镀膜方式等综述了真空卷绕镀膜技术研究进展。

直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响
Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大; 随着溅射气压的增大, 沉积速率不断增大, 在0.4 Pa 时达到最大值后, 沉积速率随溅射气压的继续增大而减小。
直流磁控溅射法在玻璃基片上制备铝薄膜的工艺研究
采用直流磁控溅射方法, 以高纯Al为靶材, 高纯Ar为溅射气体, 在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜。
真空镀铝纸印刷工艺中应注意的问题
真空镀铝除要选择质量优良的镀铝纸外,在印刷工艺设计上,应尽量利用镀铝纸的特性,扬长避短。真空镀铝纸适用于UV 油墨印刷,可用胶印、网印、凹印等,但不同的印刷方法对油墨的要求有所差异。
无栅网离子源的工作原理
无栅网离子源的工作原理类似于磁控溅射,阳极偏压在磁力线束缚电子的区域产生高密度等离子体(high ne ionization region),离子的飞行轨迹不受磁场的影响,在偏压VDC作用下加速向阴极飞行,在开口处形成能量为VDC离子束,而其他的离子则在阴极上产生溅射,这样降低了束流密度,
电子回旋共振(ECR)离子源的工作原理
ECR离子源微波能量通过微波输入窗(由陶瓷或石英制成) 经波导或天线耦合进入放电室, 在窗上表面的永磁系统产生的高强磁场作用下, 放电室内的气体分子的外层电子做回旋运动。
RF-CCP(电容耦合) 和RF-ICP(感应耦合)离子源的结构原理
电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件,射频ICP源的发射天线绕在电绝缘的石英放电室外边,当通过匹配网络将射频功率加到线圈上时,线圈中就有射频电流通过,于是产生射频磁通。
Kaufman低能宽束离子源的结构原理
Kaufman离子源是由阴极(Cathode)、阳极(Anode)、栅极(Grids)、放电室圆筒构成气体放电室(Discharge Chamber),栅极构成离子光学系统。
磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能
本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
红外低辐射膜的典型膜层结构
低辐射薄膜的中间金属层起着反射红外线的重要作用,一般选用银,因它在对红外光具有较高反射率的同时,对可见光还具有较高的透射率,按银膜的数量可分为单银膜 、双银膜和多银膜,每层银膜厚度一般在10~18nm之间。
红外低辐射薄膜的节能原理
膜层的电导率σ值越大, 它对入射光的反射率越大; 电磁辐射的频率υ越小(或波长越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 导电薄膜对波长较大的红外线具有高反射性。
ZnO薄膜的器件应用
ZnO薄膜的主要应用有用作光伏电池的电极和窗口材料、在发光器件的应用、ZnO基紫外探测器、作为缓冲层/衬底、压敏器件、气敏传感器、压电器件。
ZnO薄膜的主要性质
本文讲述了ZnO薄膜的晶体结构、光学性质、电学性质等性质。
化学法制备ZnO薄膜的方法
PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、喷雾热解法(Spray Pyrolysis)、溶胶- 凝胶法是目前主要的一些化学制备ZnO薄膜的方法。
物理法制备ZnO薄膜的方法
物理法制备ZnO薄膜的的主要方法有溅射法(Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子层外延生长法(ALE)等。
宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺
ZnO薄膜的制备方法有多种,大致分为物理法和化学法,可以满足不同的需求,由于化学稳定性好,良好的机电耦合性,工艺简单,这使得ZnO 薄膜在近年来受到越来越多的重视,成为化合物半导体领域中的一个研究热点,基于ZnO的器件正逐步应用到许多领域中。