真空镀膜栏目简介

真空镀膜主要分蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜和化学气相沉积几种。真空镀膜栏目主要讲述了真空镀膜原理,真空镀膜工艺,真空镀膜设备等有关真空镀膜技术。

真空卷绕镀膜技术研究进展

本文从系统结构、参数控制和镀膜方式等综述了真空卷绕镀膜技术研究进展。

氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的性能测试分析
研究了辐照试验前后ITO 样品的光电性能变化,并用XPS和AFM对其组分及表面形貌变化进行了分析。结果表明,辐照后ITO薄膜的光学透过率变化不大;表面电阻有一定增加,但幅度不大,完全可以满足防静电的要求。
氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的制备方法
利用ITO陶瓷靶及射频磁控溅射工艺制备了氧化铟锡(ITO)防静电薄膜。
ZnO∶Mo薄膜的光学性能研究
ZMO薄膜的光禁带宽度Eog约为3.41eV, 在可见光范围内平均透过率达80%左右。
ZnO∶Mo薄膜的电学性能分析
ZMO薄膜的电阻率随Mo离子掺杂量的增大而减小,在Mo 掺杂1.5wt% 时薄膜电阻率最小,为1.97 ×10 -3 Ω·cm, 而大于1.5wt% 时薄膜的电阻率逐渐增大
ZnO∶Mo薄膜的结构分析
ZMO薄膜的c轴比体材料ZnO的c 轴拉长了;并且随着掺杂量的增加,c 轴有继续增长的趋势,即晶面间距也有增大的趋势。
新型透明导电ZnO∶Mo薄膜的制备
采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO∶Mo(ZMO) 透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀的最佳刻蚀条件
研究了类金刚石薄膜的反应离子刻蚀工艺。对刻蚀工艺参数如刻蚀时间、有无掩膜、反应气体的混合比、负偏压等对刻蚀的影响做了较详尽的研究。根据刻蚀规律。成功制备出“独立”微齿轮, 并进行组装。
工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响
工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响,刻蚀率相对稳定基本不随时间变化,有无掩膜对刻蚀率影响不大,刻蚀率随着氩体积百分含量的增大而降低。随着负偏压的增大先增大后减小。
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀实验
本文对电子回旋共振(electron cyclotronresonance,ECR) 微波反应离子刻蚀类金刚石薄膜进行研究,研究了主要工艺参数对刻蚀率的影响,刻蚀出结构完整、失真度小、独立的微齿轮,并进行了组装。
连续卷绕CPP镀铝膜设备的部件功能和工作过程
论述了双冷却镀膜辊悬空平展镀膜技术的技术原理和结构特性,及其在解决CPP 流延塑料薄膜基材表面镀制铝膜时出现亮暗条纹线难题中的显著效果。并提出独特的蒸发机构冷却和自流式蒸发舟设置的特殊设计对提高大型宽幅高真空连续卷绕镀膜设备生产效率的重要性。
高真空连续卷绕CPP镀铝膜设备的工作原理及特点
大型宽幅高真空连续卷绕镀膜设备是专门用于CPP膜镀铝的专用设备,是目前我国自行研制的幅宽最大、效率最高的真空卷绕镀铝设备之一。
磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验
磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优化设计方案。并对改进的磁场结构和一般的磁场结构进行
磁控溅射靶的磁场的优化设计
采用的是磁路叠加原理来改进磁控溅射靶的磁场,最后形成的水平磁场是接近于矩形波的双峰形式。这样靶面的磁力线和磁场强度的水平分量更加平滑, 能够有效地增加靶面跑道的宽度, 实现靶面均匀刻蚀。
磁控溅射靶的磁场排布分析
在平面磁控溅射靶中, 磁钢放置于靶材的后面, 穿过靶材表面的磁力线在靶材表面形成磁场。其中平行于靶面的磁场B 和垂直靶表面的电场E,形成平行于靶面的漂移场E×B。
溅射铝膜的结构与表面形态分析
X射线衍射图谱表明, 磁控溅射沉积的Al膜为多晶状态。用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察, 溅射气压为0.4Pa, 溅射功率为2600W时制备的Al膜较均匀致密。