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真空镀膜

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推荐调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响

利用射频磁控溅射技术,在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.分别采用表面轮廓仪、纳米力学测试系统、多功能材料表面性能实验仪和XRD,分析了调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响.

宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺

ZnO薄膜的制备方法有多种,大致分为物理法和化学法,可以满足不同的需求，由于化学稳定性好,良好的机电耦合性,工艺简单,这使得ZnO 薄膜在近年来受到越来越多的重视,成为化合物半导体领域中的一个研究热点,基于ZnO的器
热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响

随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。850℃热处理后的氧化钛薄膜折射率最高为2.34。适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率。
电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响

基片温度、真空度、沉积速率、其他工艺条件等都对电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响。
有机玻璃蒸发镀铝的实验结果及铝膜分析

增加铬过渡层的样品, 铝膜结合的非常牢固, 附着力得到很大的提高。采用电子束蒸发技术, 在使用合适的工艺参数下, 可以在有机玻璃表面制备附着力好、耐腐蚀的高反射铝膜。
有机玻璃基材表面电子束蒸镀铬-铝-二氧化硅薄膜实验材料与方法

采用电子束蒸镀的方法, 以有机玻璃为基材, 在其表面蒸镀铬过渡层, 再蒸镀铝, 最后蒸镀保护层二氧化硅。
对铝合金表面镀CrNx多层膜特性分析

利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度仪和腐蚀测量仪等测试手段分析薄膜的成分、结构、表面形貌、显微硬度、耐腐蚀性等特性。
2024铝合金表面镀CrNx多层膜的实验过程

在2024 铝合金上采用了二次浸锌的预处理方法, 以化学镀镍, 电镀铜作为过渡层的特殊工艺,再利用磁过滤脉冲偏压电弧离子镀技术制备了Zn/Ni/Cu/Cr/CrN 多层梯度膜。
溅射气压对磁控溅射成膜性能的影响

溅射气压( 工作气压)是一个很重要的参数, 它对溅射速率, 沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。实验得知溅射气压超过0.55Pa 后, 结合力和焊接合格率随着气压增大而迅速下降。因此, 认为0.5 Pa 左右的溅射气压是比
靶片间距对金属化成膜速率和薄膜性能的影响

靶片间距也是影响成膜速率的重要因素之一，靶材与基片之间必须保持一定的距离, 过大或过小镀膜的均匀性和致密性都较差。
溅射功率对金属化薄膜性能的影响分析

溅射功率对金属化薄膜性能的影响主要表现在对成膜速率、薄膜形貌、薄膜性能等方面的影响，结合实验，分别分析了各个影响。
晶振膜厚控制仪应用与展望

膜厚控制仪工作稳定,速率和膜厚的控制能达到很高的精度,显示屏中文显示,简单而且直观。用它控制国产镀膜机无须国产镀膜机作很大的改动，甚至可以保留国产镀膜机原有的人工镀膜的状态，不失为国产镀膜机的最佳配套选
化学气相沉积(CVD)的概念与优点

化学气相淀积CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法和应用

真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法主要可分为物理气相沉积和等离子体增强化学气相沉积。物理气相沉积法可分为蒸镀法和溅射法。化学气相沉积主要是PVDC。
在铜和硬质合金上金刚石膜的沉积研究

铜上金刚石薄膜的制备有很大的困难，主要原因在于铜与金刚石之间没有化学反应，无相应的碳化物生成；同时铜和金刚石的热膨胀系数的差异过大。本文首先研究了高纯铜片上金刚石的形核，采用亚微米金刚石涂层显著地增强
真空镀铝工艺

真空镀铝是在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在高分子材料表面，形成极薄的铝层。真空镀铝常见的问题有：薄膜表面出现褐色条纹、镀铝时薄膜出现孔洞、镀铝时薄膜出现拉伸现象。本文给出了一些解决方
真空镀膜机膜厚监控的方法

真空镀膜机的操作系统中最关键最直接的部份膜厚监控系统目前主要有微电脑数控式、水晶振动子式、光电式以及正在发展的数控与光电相结合式几种方式。
化学气相沉积技术在冷拔模具上的应用

化学气相沉积（CVD）技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。上海冷拉型钢厂将这项技术应用于模具，取得显著效益。