真空镀膜_真空镀膜原理_溅射镀膜_气相沉积

真空镀膜

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推荐调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响

利用射频磁控溅射技术,在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.分别采用表面轮廓仪、纳米力学测试系统、多功能材料表面性能实验仪和XRD,分析了调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响.

划痕法评定膜基结合力的实验方法

划痕法是表征膜基结合力最广泛、也是研究最多的一种方法。划痕法表征膜基结合力的关键是如何判定临界载荷。
退火温度对氧化镍(NiO)薄膜的影响

随着退火温度的升高，薄膜的晶粒尺寸增大，晶粒大小约10~60nm；500℃退火条件下制得的NiO 薄膜组成和结构较好，具有良好的电化学循环稳定性，有望成为高性能的全固态薄膜锂电池阳极材料。
直流溅射并结合热处理工艺制备氧化镍薄膜

采用直流溅射并结合热处理工艺在400～500℃退火温度下制备了表面光滑、结构致密、无微孔和裂缝的纳米晶NiO 薄膜.
反应溅射AlN 薄膜的动态特性

反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.
氟化非晶碳膜的微结构分析

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜.采用原子力显微镜(AFM)、X 射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征.
氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的性能测试分析

研究了辐照试验前后ITO 样品的光电性能变化，并用XPS和AFM对其组分及表面形貌变化进行了分析。结果表明，辐照后ITO薄膜的光学透过率变化不大；表面电阻有一定增加，但幅度不大，完全可以满足防静电的要求。
氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的制备方法

利用ITO陶瓷靶及射频磁控溅射工艺制备了氧化铟锡(ITO)防静电薄膜。
ZnO∶Mo薄膜的光学性能研究

ZMO薄膜的光禁带宽度Eog约为3.41eV, 在可见光范围内平均透过率达80%左右。
ZnO∶Mo薄膜的电学性能分析

ZMO薄膜的电阻率随Mo离子掺杂量的增大而减小,在Mo 掺杂1.5wt% 时薄膜电阻率最小,为1.97 ×10 -3 Ω·cm, 而大于1.5wt% 时薄膜的电阻率逐渐增大
ZnO∶Mo薄膜的结构分析

ZMO薄膜的c轴比体材料ZnO的c 轴拉长了;并且随着掺杂量的增加,c 轴有继续增长的趋势,即晶面间距也有增大的趋势。
新型透明导电ZnO∶Mo薄膜的制备

采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO∶Mo(ZMO) 透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀的最佳刻蚀条件

研究了类金刚石薄膜的反应离子刻蚀工艺。对刻蚀工艺参数如刻蚀时间、有无掩膜、反应气体的混合比、负偏压等对刻蚀的影响做了较详尽的研究。根据刻蚀规律。成功制备出“独立”微齿轮, 并进行组装。
工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响

工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响,刻蚀率相对稳定基本不随时间变化,有无掩膜对刻蚀率影响不大,刻蚀率随着氩体积百分含量的增大而降低。随着负偏压的增大先增大后减小。
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀实验

本文对电子回旋共振(electron cyclotronresonance,ECR) 微波反应离子刻蚀类金刚石薄膜进行研究,研究了主要工艺参数对刻蚀率的影响,刻蚀出结构完整、失真度小、独立的微齿轮,并进行了组装。
连续卷绕CPP镀铝膜设备的部件功能和工作过程

论述了双冷却镀膜辊悬空平展镀膜技术的技术原理和结构特性，及其在解决CPP 流延塑料薄膜基材表面镀制铝膜时出现亮暗条纹线难题中的显著效果。并提出独特的蒸发机构冷却和自流式蒸发舟设置的特殊设计对提高大型宽幅高
高真空连续卷绕CPP镀铝膜设备的工作原理及特点

大型宽幅高真空连续卷绕镀膜设备是专门用于CPP膜镀铝的专用设备，是目前我国自行研制的幅宽最大、效率最高的真空卷绕镀铝设备之一。
磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验

磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优