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真空镀膜

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推荐调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响

利用射频磁控溅射技术,在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.分别采用表面轮廓仪、纳米力学测试系统、多功能材料表面性能实验仪和XRD,分析了调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响.

CuAlO2的结构和能带特点

从理论上讲CuAlO2具有较高的热电优值，材料具有比较高的Seebeck系数和电导率,同时层状结构有利于声子散射,降低热导率。
氧化锌(ZnO)薄膜的性能分析

从ZnO薄膜的晶体结构、光学性能、电学性能、光电特性、气敏特性等方面综述了ZnO 的研究重点和应用前景。
氧化锌(ZnO)薄膜的结构分析

ZnO薄膜为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，晶体结构为六方形纤锌矿结构。优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒，每个晶粒都是生长良好的六方形纤锌矿结构。
脉冲磁控溅射的工作原理和工作方式

脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。
反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法

反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜，可以在溅射纯金属或合金靶材时，通入一定的反应气体，如氧气、氮气，反应沉积化合物薄膜，这就称这反应磁控溅射。
非平衡磁控溅射的结构和运用

非平衡磁控溅射系统有两种结构，一种是其芯部磁场强度比外环高，磁力线没有闭合。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线没有完全形成闭合回路。
平衡磁控溅射的概念和优缺点

平衡磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。
碳化钒薄膜的力学性能分析

利用微力学探针表征碳化钒薄膜力学性能，其硬度和弹性模量分别达到35.5GPa 和358GPa。随着C2H2 分压的提高,薄膜形成六方结构的γ-VC ,并逐渐产生非晶碳相,硬度和弹性模量随之降低。
碳化钒薄膜的成分与微结构分析

利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力学探针等表征在Ar、C2H2 混合气氛中通过反应磁控溅射法制备了一系列不同碳含量的碳化钒薄膜的微结构和力学性能。
反应溅射技术制备碳化钒薄膜的实验

采用在Ar2C2H2混合气体中的射频反应磁控溅射技术可以方便地合成碳化钒薄膜。但是,碳化钒薄膜的化学成分、相组成、微结构以及相应的力学性能对C2H2 分压非常敏感。
衬底温度对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜沉积速率随衬底温度的变化不大。
溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
反应气压对ZAO薄膜沉积速率的影响

在反应气压增大的情况下, ZAO薄膜的沉积速率不断上升, 达到最大值后, 又随气压的增大不断下降。
O2气流量对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜沉积速率随O2气流量的增加显著降低, 靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式，而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量

直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
ITO薄膜的透射谱的建模及解谱

用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分别在100、200、300 和400 ℃下退火1h.测量了退火前后几个样品的XRD 和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱.
膜基结合力的划痕法实验分析

在瑞士CSM仪器的微划痕测试仪对真空多弧离子镀设备制备的WC2Co/TiN膜基结合力进行划痕实验,系统地介绍了如何利用MST划痕仪所测的声发射数据、摩擦力数据及光学、电子扫描划痕形貌来综合评定膜基结合力,并用WS292 划